HMC441LH5
Analog Devices · 封装：QFN-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 7～15.5 GHz、测试频率 13～14 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 QFN-12 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MAX3522BCTN+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。HMC441LH5TR
Analog Devices · 封装：LH5-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 7～15.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 90 mA，采用 LH5-12 封装。HMC441LM1
Analog Devices · 封装：SMT-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 7～15.5 GHz、测试频率 12.5～14 GHz、技术 GaAs、类型 General Purpose Amplifiers，采用 SMT-8 封装。HMC441LM1TR
Analog Devices · 封装：LM1-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 7～15.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 90 mA，采用 LM1-8 封装。HMC441LP3
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6.5～13.5 GHz、测试频率 8～11 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 QFN-16 封装。HMC441LP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6.5～13.5 GHz、测试频率 8～11 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 QFN-16 封装。HMC465LP5
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 0 Hz to 20 GHz、测试频率 6～12 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifiers，采用 QFN-32 封装。HMC465LP5E
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 0 Hz to 20 GHz、测试频率 6～12 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifiers，采用 QFN-32 封装。MAX3523ETP+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 5～204 MHz、技术 Si、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 700 mA、增益 37.3 dB，采用 TQFN-20 封装。MAX3522BCTN+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-56
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 5～204 MHz、技术 Si、类型 General Purpose Amplifiers、增益 26 dB、噪声系数（NF） 12 dB，采用 TQFN-EP-56 封装。MAX2650EUS+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOT-143-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1 GHz、测试频率 900 MHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers，采用 SOT-143-4 封装。MAX3521ETP+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国、型号别名 MAX3521，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX3521ETP+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～85 MHz、技术 Si、类型 CATV Amplifiers、工作电源电流 475 mA，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX2655EXT+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SC-70-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～5.5 V、工作频率 1.4～1.7 GHz、测试频率 1.575 GHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers，采用 SC-70-6 封装。ADL8142ACPZN
Analog Devices · 封装：LFCSP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2 V、工作频率 23～31 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 25 mA，采用 LFCSP-8 封装。ADPA1116ACGZN
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 300 MHz to 6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、增益 32.5 dB，采用 LFCSP-32 封装。ADPA1116ACGZN-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 300 MHz to 6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、增益 32.5 dB，采用 LFCSP-32 封装。ADPA1122AEHZ
Analog Devices · 封装：LCC-18
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 8.2～9.6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、最小工作温度 - 40 C，采用 LCC-18 封装。ADPA1122AEHZ-R7
Analog Devices · 封装：LCC-HS-18
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 8.2～11.8 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、增益 28.5 dB，采用 LCC-HS-18 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。