QPL1811SR
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 5～7 V、工作频率 50 MHz to 1.8 GHz、测试频率 1.8 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifiers、工作电源电流 290 mA。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录QPF4658SR
Qorvo
主要参数包括工作频率 6 GHz、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、型号别名 QPF4658。QPL1240TR13
Qorvo
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。QPL1240SR
Qorvo · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5～8 V、工作频率 50 MHz to 1.218 GHz、测试频率 1.218 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifiers，采用 SOIC-8 封装。QPL1163TR13
Qorvo
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是、型号别名 QPL1163。QPL1163SR
Qorvo · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5～8 V、工作频率 50 MHz to 1.218 GHz、测试频率 50 MHz to 1.218 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifiers，采用 SOIC-8 封装。QPL1000SR
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 10 V、工作频率 8～11 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 20 mA、增益 27 dB。HMC415LP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 4.9～5.9 GHz、测试频率 4.9～5.1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers，采用 QFN-16 封装。HMC441LC3BTR
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6～18 GHz、测试频率 14～18 GHz、技术 GaAs、类型 General Purpose Amplifiers，采用 LCC-12 封装。HMC415LP3ETR
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 4.9～5.9 GHz、测试频率 4.9～5.1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers，采用 QFN-16 封装。HMC441-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6～18 GHz、测试频率 7～8 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 Die 封装。HMC441LC3B
Analog Devices · 封装：LCC-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6～18 GHz、测试频率 14～18 GHz、技术 GaAs、类型 General Purpose Amplifiers，采用 LCC-12 封装。MAX2645EUB+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：UMAX-10
主要参数包括工作频率 3.4～3.8 GHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifiers、增益 14.4 dB、噪声系数（NF） 2.3 dB、原产国家或地区 TH，采用 UMAX-10 封装。MAX2643EXT+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SC70-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～5.5 V、工作频率 800 MHz to 1 GHz、测试频率 900 MHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifiers，采用 SC70-6 封装。MAX2642EXT+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SC70-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～5.5 V、工作频率 800 MHz to 1 GHz、测试频率 900 MHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifiers，采用 SC70-6 封装。MAX2615ETA/V+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括技术 Si、类型 General Purpose Amplifiers、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 MAX2615，采用 TDFN-EP-8 封装。MAX2615ETA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括工作电源电压 3～5.25 V、工作频率 400 MHz to 4 GHz、测试频率 1 GHz、技术 Si、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 81.5 mA，采用 TDFN-EP-8 封装。MAX2614ETA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括工作电源电压 3～5.25 V、工作频率 400 MHz to 4 GHz、测试频率 1 GHz、技术 Si、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 40.6 mA，采用 TDFN-EP-8 封装。MAX2613ETA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括工作电源电压 3～5.25 V、工作频率 400 MHz to 4 GHz、测试频率 1 GHz、技术 Si、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 51.2 mA，采用 TDFN-EP-8 封装。MAX2612ETA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括工作电源电压 3～5.25 V、工作频率 400 MHz to 4 GHz、测试频率 1 GHz、技术 Si、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 69 mA，采用 TDFN-EP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。