HMC870LC5
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3～7 V、工作频率 0 Hz to 20 GHz、测试频率 1～8 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifiers，采用 QFN-32 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC863ALC4TR-R5
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 22～26.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 350 mA，采用 LGA-24 封装。HMC863ALC4TR
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5.5 V、工作频率 24～29.5 GHz、技术 GaAs、工作电源电流 350 mA、增益 24 dB，采用 LGA-24 封装。HMC695LP4
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 11.4～13.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 60 mA，采用 QFN-24 封装。HMC661LC4BTR
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2 V、工作频率 0 Hz to 18 GHz、技术 SiGe、工作电源电流 82 mA、最小工作温度 0 C，采用 QFN-24 封装。HMC661LC4B
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 2 V、工作频率 0 Hz to 18 GHz、技术 SiGe、类型 Track and Hold、工作电源电流 82 mA、最小工作温度 0 C，采用 QFN-24 封装。HMC659LC5TR
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 0 Hz to 15 GHz、测试频率 0 Hz to 6 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 LFCSP-32 封装。BGAP2S20AE6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 2.3～2.7 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、增益 34.8 dB，采用 TSNP-16 封装。BGAP2D30AE6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：TSNP-16
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 3.3～4.2 MHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、增益 35.2 dB、噪声系数（NF） 3.1 dB，采用 TSNP-16 封装。GTRA263902FC-V2-R0
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 美国。CGY2260UH/C1
MACOM
RF Amplifier Low Noise Amplifier,Die,24-44GHzCMPA0060002F
MACOM
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 20 MHz to 6 GHz、测试频率 6 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifiers。CMPA0060002F1
MACOM
主要参数包括技术 氮化镓（GaN）、原产国家或地区 美国。CMPA0530002D
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 美国。LTA/GTRB246608FC-E2
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 美国、湿敏性 是。LTA/GTRB384608FC-E4
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 美国、型号别名 LTAGTRB384608FC-E4。LTA/GTRB384608FC-E7
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 美国。LTA/GTRB424908FC/1-E4
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 美国。LTA/PXAE183708NB-V1
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 美国。LTN/PTMC210404MD-V2
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 美国。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。