HMC311ST89ETR
Analog Devices · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0 Hz to 6 GHz、测试频率 0 Hz to 1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifiers，采用 SOT-89-3 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC313E
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0 Hz to 6 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifiers，采用 SOT-23-6 封装。HMC498LC4
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17～24 GHz、测试频率 17～19 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 LGA-24 封装。HMC498LC4TR
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17～24 GHz、测试频率 17～19 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 LGA-24 封装。MAX2611EUS+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOT-143-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0 Hz to 1.1 GHz、测试频率 100 MHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers，采用 SOT-143-4 封装。HMC8414ACPZN-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 100 MHz to 10 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 90 mA，采用 LFCSP-16 封装。HMC695LP4ETR
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 11.4～13.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 60 mA，采用 QFN-24 封装。HMC8414ACPZN
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 100 MHz to 10 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 90 mA，采用 LFCSP-16 封装。HMC8413LP2FETR
Analog Devices · 封装：LFCSP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 10 MHz to 7 GHz、测试频率 10 MHz to 7 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 LFCSP-6 封装。HMC8413LP2FE
Analog Devices · 封装：LFCSP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 10 MHz to 9 GHz、测试频率 10 MHz to 7 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 LFCSP-6 封装。HMC8412TCPZ-EP-R7
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 10 GHz、测试频率 400 MHz to 8 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers。HMC772LC4TR
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 2～12 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 45 mA，采用 QFN-24 封装。HMC6981LS6
Analog Devices · 封装：LQFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 15～20 GHz、测试频率 17～20 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 LQFN-16 封装。MAX2092ETP+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.8 V、工作频率 700 MHz to 2.7 GHz、测试频率 1.835 GHz、技术 Si、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 2 mA，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX2091ETP+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-20
主要参数包括技术 Si、类型 Variable Gain Amplifiers、原产国家或地区 中国、型号别名 MAX2091，采用 TQFN-20 封装。MAX2091ETP+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 50～500 MHz、测试频率 1.835 GHz、技术 Si、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 264 mA，采用 TQFN-20 封装。MAX2090ETP+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-20
主要参数包括技术 Si、类型 Variable Gain Amplifiers、原产国家或地区 中国、型号别名 MAX209，采用 TQFN-20 封装。MAX2090ETP+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 50 MHz to 1 GHz、测试频率 350 MHz、技术 Si、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 81 mA，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX12000ETB+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-10
主要参数包括工作电源电压 3～5.5 V、工作频率 1.575 GHz、测试频率 1.575 GHz、技术 Si、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 25 mA，采用 TDFN-10 封装。HMC870LC5TR
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 0 Hz to 20 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifiers、工作电源电流 165 mA，采用 QFN-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。