MMA053PP5/TR
Microchip Technology
RF Amplifier DC-6GHz, 1.0W Output Power Amplifier射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MMA053PP5E
Microchip Technology
主要参数包括工作电源电压 10 V、工作频率 0 Hz to 10 GHz、测试频率 0 Hz to 6 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 420 mA。MMA142AA
Microchip Technology
主要参数包括工作频率 1～34 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、输出三阶截点（OIP3） 28 dBm。MMA155PP5
Microchip Technology · 封装：QFN-32
主要参数包括工作频率 22 GHz、技术 GaAs、增益 15.5 dB、噪声系数（NF） 3.5 dB、1 dB 压缩点（P1dB） 31.5 dB、输出三阶截点（OIP3） 34 dBm，采用 QFN-32 封装。NSVG3109SG6T1G
onsemi
主要参数包括原产国家或地区 中国。SMA3103-TL-E
onsemi · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 100 MHz to 3.3 GHz、测试频率 1 GHz、技术 Si、类型 General Purpose Amplifiers，采用 SOT-363-6 封装。SKY66317-11
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：MCM-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2.496～2.69 GHz、测试频率 2.593 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers，采用 MCM-16 封装。SKY66318-21
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3.3～3.7 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、原产国家或地区 MX。SKY66319-11
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 4.4～5 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、原产国家或地区 MX。SKY67189-396LF
Skyworks Solutions, Inc. · 封装：DFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 6 GHz、测试频率 5 GHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers，采用 DFN-8 封装。B10H0710N40DYZ
Ampleon · 封装：LGA-34
主要参数包括工作频率 700 MHz to 1 GHz、增益 35 dB、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 120 C、原产国家或地区 菲律宾、湿敏性 是，采用 LGA-34 封装。CMX90A006Q7-R
CML Micro · 封装：VQFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 860～930 MHz、测试频率 900 MHz、技术 InGaP、类型 Power Amplifiers，采用 VQFN-16 封装。CMX90A007Q7-R
CML Micro · 封装：VQFN-16
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 6～9.5 V、工作频率 136 MHz to 1 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifiers、增益 27 dB，采用 VQFN-16 封装。CMX90A009QK-R
CML Micro · 封装：VDFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6～9.5 V、工作频率 136 MHz to 1 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 136 mA，采用 VDFN-16 封装。CMX90A702QHR710
CML Micro · 封装：VQFN-20
主要参数包括工作电源电压 4 V、工作频率 26.5～29.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 109 mA、增益 22.5 dB，采用 VQFN-20 封装。CMX90A705A6-R701
CML Micro · 封装：AQFN-12
主要参数包括工作电源电压 27.5 V、工作频率 27.5～31 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、增益 17 dB、输出三阶截点（OIP3） 42 dBm，采用 AQFN-12 封装。CMX90A705A6-R705
CML Micro · 封装：AQFN-12
主要参数包括工作电源电压 27.5 V、工作频率 27.5～31 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、增益 17 dB、输出三阶截点（OIP3） 42 dBm，采用 AQFN-12 封装。CMX90B701QF-R705TR
CML Micro · 封装：VQFN-16
主要参数包括工作电源电压 3～5 V、工作频率 17～23 GHz、技术 GaAs、工作电源电流 10 mA、增益 18.2 dB、噪声系数（NF） 4 dB，采用 VQFN-16 封装。CMX90B701QF-R710TR
CML Micro · 封装：VQFN-16
主要参数包括工作电源电压 3～5 V、工作频率 17～23 GHz、技术 GaAs、工作电源电流 10 mA、增益 18.2 dB、噪声系数（NF） 4 dB，采用 VQFN-16 封装。MGA-333840-02
CML Micro · 封装：SMD-10
主要参数包括工作频率 3.3～3.8 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 400 mA、增益 12 dB、1 dB 压缩点（P1dB） 33 dBm，采用 SMD-10 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。