MAAL-011287-TR1000
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
MACOM
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。MACOM
RF Amplifier Amplifier,18-26 GHz,4mm-16LD-QFNMACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。MACOM
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 1~6 GHz、测试频率 2.5 GHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 78 mA。MACOM
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 1~6 GHz、工作电源电流 78 mA、增益 35 dB、噪声系数(NF) 1.2 dB、1 dB 压缩点(P1dB) 40.5 dBm。MACOM
主要参数包括原产国家或地区 美国。MACOM · 封装:DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 30 MHz to 2.7 GHz、技术 氮化镓(GaN)、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH,采用 DFN-6 封装。MACOM
RF Amplifier Amplifier,DC-1.4GHz,25W,GaN HEMT,50V,DFNMACOM
RF Amplifier Amplifier,DC-1.4GHz,25W,GaN HEMT,50V,DFNMACOM
主要参数包括原产国家或地区 美国、湿敏性 是。MACOM
RF Amplifier Amplifier,150W,DC-3.5GHz,GaN on SiC, T&RMACOM
RF Amplifier Amplifier, 270W,DC-2.7GHz,GaN- SiC,T&RMACOM
RF Amplifier Amplifier, 0.5-3.0GHz, 80W, GaN-SiCMACOM
RF Amplifier Amplifier, 1.8-2.7GHz, 8W, GaN-SiCMACOM
RF Amplifier Amplifier, 1.8-2.7GHz, 8W, GaN-SiC, T&R型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。