HMC637ALP5ETR
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 100 MHz to 6 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 400 mA，采用 QFN-32 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC636ST89
Analog Devices · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 200 MHz to 4 GHz、测试频率 200 MHz to 2 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifiers，采用 SOT-89-3 封装。HMC635LC4TR
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18～40 GHz、测试频率 18～36 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifiers，采用 LGA-24 封装。HMC635LC4
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18～40 GHz、测试频率 18～36 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifiers，采用 LGA-24 封装。HMC635-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18～40 GHz、测试频率 18～36 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifiers，采用 Die 封装。HMC634LC4TR
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～20 GHz、测试频率 5～16 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifiers，采用 QFN-24 封装。HMC634LC4
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～20 GHz、测试频率 5～16 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifiers，采用 QFN-24 封装。HMC633LC4TR
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5.5～17 GHz、测试频率 5.5～9 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifiers，采用 QFN-24 封装。HMC633LC4
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5.5～17 GHz、测试频率 5.5～9 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifiers，采用 QFN-24 封装。HMC633-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～17 GHz、测试频率 9～17 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifiers，采用 Die 封装。HMC625BLP5ETR
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0 Hz to 5 GHz、测试频率 3～5 GHz、技术 GaAs、类型 Variable Gain Amplifiers，采用 QFN-32 封装。HMC625BLP5E
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0 Hz to 5 GHz、测试频率 3～5 GHz、技术 GaAs、类型 Variable Gain Amplifiers，采用 QFN-32 封装。HMC6187LP4ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 Variable Gain Amplifiers、原产国家或地区 马来西亚。HMC609LC4TR
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 2～4 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 170 mA，采用 QFN-24 封装。HMC609LC4
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 2～4 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 170 mA，采用 QFN-24 封装。HMC608LC4TR
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 9.5～11.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 310 mA，采用 QFN-24 封装。HMC608LC4
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 9.5～11.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 310 mA，采用 QFN-24 封装。HMC606LC5TR
Analog Devices · 封装：CLCC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～18 GHz、测试频率 2～12 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Low Noise Amplifiers，采用 CLCC-32 封装。HMC606LC5
Analog Devices · 封装：CLCC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～18 GHz、测试频率 2～12 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 CLCC-32 封装。HMC594LC3BTR
Analog Devices · 封装：QFN-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 2～4 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 100 mA，采用 QFN-12 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。