HMC772LC4
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 2～12 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 45 mA，采用 QFN-24 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC760LC4BTR
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2 V、工作频率 0 Hz to 5 GHz、技术 SiGe、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 25～72 mA，采用 QFN-24 封装。HMC753LP4ETR
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1～11 GHz、测试频率 1～6 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 LFCSP-24 封装。HMC753LP4E
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1～11 GHz、测试频率 1～6 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 LFCSP-24 封装。HMC752LC4TR
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 24～28 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 70 mA，采用 LGA-24 封装。HMC752LC4
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 24～28 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 70 mA，采用 LGA-24 封装。HMC751LC4
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 17～27 GHz、测试频率 20～27 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 QFN-24 封装。HMC7441-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 27.5～31 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1 A，采用 Die 封装。HMC742ALP5ETR
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 70 MHz to 4 GHz、技术 GaAs、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 2.5 mA，采用 QFN-32 封装。HMC7357LP5GE
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 5.5～8.5 GHz、测试频率 7～8.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 QFN-24 封装。HMC7229LS6TR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 37～40 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.2 A。HMC7229LS6
Analog Devices · 封装：LS6-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 37～40 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.2 A，采用 LS6-16 封装。HMC7149-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 6～18 GHz、测试频率 16～18 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers，采用 Die 封装。HMC694LP4ETR
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6～17 GHz、技术 GaAs、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 175 mA，采用 QFN-24 封装。HMC694LP4E
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6～17 GHz、测试频率 6～10 GHz、技术 GaAs、类型 Variable Gain Amplifiers，采用 QFN-24 封装。HMC659LC5
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 0 Hz to 15 GHz、测试频率 0 Hz to 6 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 LFCSP-32 封装。HMC639ST89ETR
Analog Devices · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 200 MHz to 4 GHz、测试频率 700 MHz to 2.2 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 SOT-89-3 封装。HMC639ST89E
Analog Devices · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 200 MHz to 4 GHz、测试频率 700 MHz to 2.2 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 SOT-89-3 封装。HMC637BPM5ETR
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 0 Hz to 7.5 GHz、技术 GaAs、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 345 mA，采用 LFCSP-32 封装。HMC637BPM5E
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 0 Hz to 7.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 345 mA，采用 LFCSP-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。