MAX2057ETX+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：QFN-36
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 1.3～2.7 GHz、测试频率 2.1 GHz、技术 Si、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 230 mA，采用 QFN-36 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MAX2027EUP+TD
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-20
主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 50～400 MHz、技术 Si、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 60 mA、增益 15 dB，采用 TSSOP-20 封装。MAX2027EUP+D
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSSOP-20
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 50～400 MHz、测试频率 50 MHz、技术 Si、类型 Variable Gain Amplifiers，采用 TSSOP-20 封装。MAX12000ETB+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-10
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 MAX12000，采用 TDFN-10 封装。HMC998APM5ETR-R5
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10～15 V、工作频率 100 MHz to 22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 LFCSP-32 封装。HMC998APM5ETR
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10～15 V、工作频率 100 MHz to 22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 LFCSP-32 封装。HMC998APM5E
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10～15 V、工作频率 0 Hz to 22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 LFCSP-32 封装。HMC998A-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10～15 V、工作频率 0 Hz to 22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 Die 封装。HMC997LC4TR
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17～27 GHz、技术 GaAs、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 170 mA，采用 QFN-24 封装。HMC997LC4
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17～27 GHz、测试频率 17～21 GHz、技术 GaAs、类型 Variable Gain Amplifiers，采用 QFN-24 封装。HMC996LP4E
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～12 GHz、测试频率 5～8.5 GHz、技术 GaAs、类型 Variable Gain Amplifiers，采用 QFN-24 封装。HMC994APM5ETR-R5
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 0 Hz to 28 GHz、测试频率 20～28 GHz、技术 GaAs、类型 General Purpose Amplifiers，采用 LFCSP-32 封装。HMC994APM5ETR
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 0 Hz to 28 GHz、测试频率 20～28 GHz、技术 GaAs、类型 General Purpose Amplifiers，采用 LFCSP-32 封装。HMC994APM5E
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 0 Hz to 28 GHz、测试频率 20～28 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 LFCSP-32 封装。HMC994A-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 0 Hz to 30 GHz、测试频率 26～30 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 Die 封装。HMC963LC4TR
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 6～26.5 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 45 mA，采用 QFN-24 封装。HMC963LC4
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 6～26.5 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 45 mA，采用 QFN-24 封装。HMC962LC4TR
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 7.5～26.5 GHz、测试频率 10～24 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 QFN-24 封装。HMC962LC4
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 7.5～26.5 GHz、测试频率 10～24 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 QFN-24 封装。HMC952ALP5GETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。