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MAX2233EEE+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：QSOP-16

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V, 5 V、工作频率 928 MHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 78.5 mA，采用 QSOP-16 封装。
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MAX2232EEE+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：QSOP-16

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.6 V、工作频率 800 MHz to 1 GHz、测试频率 902～928 MHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers，采用 QSOP-16 封装。
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MAX2232EEE+

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：QSOP-16

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～5.5 V、工作频率 800 MHz to 1 GHz、测试频率 915 MHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers，采用 QSOP-16 封装。
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MAX2181ETE/V+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-16

主要参数包括技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 TH、型号别名 MAX2181，采用 TQFN-16 封装。
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MAX2181ETE/V+

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-16

主要参数包括工作电源电压 6～24 V、工作频率 76～162.5 MHz、测试频率 97 MHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 56 mA，采用 TQFN-16 封装。
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MAX2181AETE/V+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-16

主要参数包括技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 TH、型号别名 MAX2181A，采用 TQFN-16 封装。
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MAX2181AETE/V+

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-16

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 76～162.5 MHz、测试频率 97 MHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers，采用 TQFN-16 封装。
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MAX2181AETE+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-16

主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 76～162.5 MHz、测试频率 97 MHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 56 mA，采用 TQFN-16 封装。
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MAX2181AETE+

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-16

主要参数包括技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、原产国家或地区 TH、型号别名 MAX2181A，采用 TQFN-16 封装。
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MAX2180AETG/V+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-24

主要参数包括技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 TH、型号别名 MAX2180A，采用 TQFN-24 封装。
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MAX2180AETG/V+

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-24

主要参数包括工作电源电压 6～24 V、工作频率 148 kHz to 162.5 MHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 75 mA、增益 6 dB，采用 TQFN-24 封装。
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MAX2130EUA+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：UMAX-8

主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 878 MHz、测试频率 500 MHz、技术 Si、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 104 mA，采用 UMAX-8 封装。
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MAX2130EUA+

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：UMAX-EP-8

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 44～878 MHz、测试频率 500 MHz、技术 Si、类型 General Purpose Amplifiers，采用 UMAX-EP-8 封装。
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MAX2092ETP+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-20

主要参数包括技术 Si、类型 Variable Gain Amplifiers、原产国家或地区 TH、型号别名 MAX2092，采用 TQFN-20 封装。
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MAX2067ETL+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-40

主要参数包括工作电源电压 5 V、技术 Si、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 72 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFN-40 封装。
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MAX2066ETL+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-40

主要参数包括工作电源电压 5 V、技术 Si、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 70 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFN-40 封装。
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MAX2066ETL+

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-40

主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 50 MHz to 1 GHz、测试频率 350 MHz、技术 Si、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 121 mA，采用 TQFN-40 封装。
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MAX2065ETL+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-40

主要参数包括工作电源电压 3 V to 3.6 V, 4.75 V to 5.25 V、技术 Si、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 73 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFN-40 封装。
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MAX2065ETL+

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-40

主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 50 MHz to 1 GHz、测试频率 350 MHz、技术 Si、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 124 mA，采用 TQFN-40 封装。
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MAX2057ETX+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-36

主要参数包括技术 Si、类型 Variable Gain Amplifiers、原产国家或地区 中国、型号别名 MAX2057，采用 TQFN-36 封装。
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