HMC463LP5ETR
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 60 mA，采用 QFN-32 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC464-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 2～20 GHz、测试频率 6～18 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 Die 封装。HMC464LP5E
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 2～20 GHz、测试频率 2～6 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 QFN-32 封装。HMC465-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 0 Hz to 20 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifiers、工作电源电流 160 mA，采用 Die 封装。HMC480ST89E
Analog Devices · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 0 Hz to 5 GHz、测试频率 0 Hz to 1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifiers，采用 SOT-89-3 封装。HMC487LP5E
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 9～12 GHz、测试频率 9～11 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 QFN-32 封装。HMC490LP5E
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 12～16 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 200 mA，采用 QFN-32 封装。HMC490LP5ETR
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 12～16 GHz、技术 GaAs、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 200 mA，采用 QFN-32 封装。HMC504LC4B
Analog Devices · 封装：CLCC-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 14～27 GHz、测试频率 14～20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 CLCC-24 封装。HMC504LC4BTR
Analog Devices · 封装：CLCC-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 14～27 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 90 mA，采用 CLCC-24 封装。HMC516-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 7～17 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 65 mA，采用 Die 封装。HMC516LC5
Analog Devices · 封装：CLCC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 9～18 GHz、测试频率 9～12 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 CLCC-32 封装。HMC516LC5TR
Analog Devices · 封装：CLCC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 9～18 GHz、测试频率 9～12 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 CLCC-32 封装。HMC517LC4
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 17～26 GHz、测试频率 17～22 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 LGA-24 封装。HMC517LC4TR
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 17～26 GHz、测试频率 17～22 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 LGA-24 封装。HMC519LC4
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 18～31 GHz、测试频率 18～28 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 LGA-24 封装。HMC519LC4TR
Analog Devices · 封装：LGA-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 18～31 GHz、测试频率 18～28 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 LGA-24 封装。MAX4473EUA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括技术 Si、类型 Power Amplifiers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 菲律宾、型号别名 MAX4473，采用 USOP-8 封装。MAX3523ETP+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 5～204 MHz、技术 Si、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 700 mA、增益 37.3 dB，采用 TQFN-20 封装。MAX3520ETP+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-20
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国、型号别名 MAX3520，采用 TQFN-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。