HMC452ST89E
Analog Devices · 封装:SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.2 GHz、测试频率 2.01~2.17 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers,采用 SOT-89-3 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices · 封装:SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.2 GHz、测试频率 2.01~2.17 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers,采用 SOT-89-3 封装。Analog Devices · 封装:SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.2 GHz、测试频率 2.01~2.17 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers,采用 SOT-89-3 封装。Analog Devices · 封装:QSOP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.2 GHz、测试频率 2.01~2.17 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers,采用 QSOP-16 封装。Analog Devices · 封装:SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.2 GHz、测试频率 2.01~2.17 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers,采用 SOT-89-3 封装。Analog Devices · 封装:SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.2 GHz、测试频率 2.01~2.17 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers,采用 SOT-89-3 封装。Analog Devices · 封装:SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.5 GHz、测试频率 2~2.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 General Purpose Amplifiers,采用 SOT-89-3 封装。Analog Devices · 封装:SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.5 GHz、测试频率 2~2.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 General Purpose Amplifiers,采用 SOT-89-3 封装。Analog Devices · 封装:QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1.7~2.5 GHz、测试频率 1.9~2.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 General Purpose Amplifiers,采用 QFN-16 封装。Analog Devices · 封装:QSOP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1.7~2.2 GHz、测试频率 1.71~1.99 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers,采用 QSOP-16 封装。Analog Devices · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 0 Hz to 20 GHz、测试频率 6~18 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers,采用 Die 封装。Analog Devices · 封装:CLCC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 0 Hz to 20 GHz、测试频率 18~20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers,采用 CLCC-32 封装。Analog Devices · 封装:CLCC-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 0 Hz to 20 GHz、测试频率 18~20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers,采用 CLCC-32 封装。Analog Devices · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2~20 GHz、测试频率 8~16 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers,采用 Die 封装。Analog Devices · 封装:QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 66 mA,采用 QFN-32 封装。Analog Devices · 封装:QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2~20 GHz、测试频率 6~14 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers,采用 QFN-32 封装。Analog Devices · 封装:QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2~20 GHz、测试频率 6~14 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers,采用 QFN-32 封装。Analog Devices · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2~20 GHz、测试频率 6~18 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers,采用 Die 封装。Analog Devices · 封装:LH250-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2~20 GHz、测试频率 2~6 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers,采用 LH250-12 封装。Analog Devices · 封装:QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2~20 GHz、测试频率 2~6 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers,采用 QFN-32 封装。Analog Devices · 封装:QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2~20 GHz、测试频率 2~6 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers,采用 QFN-32 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。