HMC408LP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5.1～5.9 GHz、测试频率 5.7～5.9 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers，采用 QFN-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC408LP3ETR
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5.1～5.9 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 750 mA，采用 QFN-16 封装。HMC409LP4E
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3.3～3.8 GHz、测试频率 3.4～3.6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers，采用 QFN-24 封装。HMC413QS16GE
Analog Devices · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.75～5 V、工作频率 1.6～2.2 GHz、测试频率 1.7～2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers，采用 QSOP-16 封装。HMC414MS8GE
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.75～5 V、工作频率 2.2～2.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 300 mA。HMC414MS8GETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.75～5 V、工作频率 2.2～2.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 300 mA。HMC441LP3ETR
Analog Devices · 封装：QFN-EP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6.5～13.5 GHz、测试频率 8～11 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 QFN-EP-16 封装。HMC442-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17.5～25.5 GHz、测试频率 21～24 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 Die 封装。HMC442LC3B
Analog Devices · 封装：QFN-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17.5～25.5 GHz、测试频率 21～24 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 QFN-12 封装。HMC442LC3BTR
Analog Devices · 封装：QFN-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17.5～25.5 GHz、测试频率 21～24 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 QFN-12 封装。HMC442LM1
Analog Devices · 封装：LM1-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17.5～24 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 85 mA，采用 LM1-8 封装。HMC442LM1TR
Analog Devices · 封装：LM1-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17.5～24 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 85 mA，采用 LM1-8 封装。HMC450QS16GE
Analog Devices · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 800 MHz to 1 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 310 mA，采用 QSOP-16 封装。HMC451LC3
Analog Devices · 封装：SMT-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～20 GHz、测试频率 5～15 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 SMT-16 封装。HMC451LC3TR
Analog Devices · 封装：SMT-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～20 GHz、测试频率 5～15 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 SMT-16 封装。HMC451LP3
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～18 GHz、测试频率 5～16 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 QFN-16 封装。HMC451LP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～18 GHz、测试频率 5～16 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 QFN-16 封装。HMC451LP3ETR
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～18 GHz、测试频率 5～16 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 QFN-16 封装。HMC452QS16GE
Analog Devices · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.2 GHz、测试频率 2.01～2.17 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers，采用 QSOP-16 封装。HMC452ST89
Analog Devices · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 510 mA，采用 SOT-89-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。