ADPA7004CHIP-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～4 V、工作频率 40～80 GHz、测试频率 45～75 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 Die 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ADPA7005AEHZ
Analog Devices · 封装：LCC-HS-18
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18～44 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.4 A，采用 LCC-HS-18 封装。ADPA7005AEHZ-R7
Analog Devices · 封装：LCC-HS-18
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18～44 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.4 A，采用 LCC-HS-18 封装。ADPA7006AEHZ
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18～44 GHz、测试频率 20～24 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers。ADPA7006AEHZ-R7
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、原产国家或地区 美国。ADPA7007AEHZ
Analog Devices · 封装：CLCC-HS-18
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20～44 GHz、测试频率 34～44 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 CLCC-HS-18 封装。ADPA7007AEHZ-R7
Analog Devices · 封装：CLCC-HS-18
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20～44 GHz、测试频率 20 GHz to 26 GHz, 26 GHz to 34 GHz, 34 GHz to 44 GHz、技术 GaAs、工作电源电流 1.4 A，采用 CLCC-HS-18 封装。ADPA7008AEHZ
Analog Devices · 封装：LCC-18
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 22～40 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.5 A、增益 17.5 dB，采用 LCC-18 封装。ADPA7009-2ACEZ
Analog Devices · 封装：LGA-CAV-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20～54 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 850 mA，采用 LGA-CAV-24 封装。ADPA7009-2ACEZ-R7
Analog Devices · 封装：LGA-CAV-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20～54 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 850 mA，采用 LGA-CAV-24 封装。ADPA9002ACGZN
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10～15 V、工作频率 0 Hz to 10 GHz、测试频率 2～5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers，采用 LFCSP-32 封装。ADPA9002ACGZN-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、原产国家或地区 中国台湾，采用 LFCSP-32 封装。ADPA9007ACGZN
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10～15 V、工作频率 50 MHz to 28 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 500 mA，采用 LFCSP-32 封装。ADRF6521ACPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-20
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、工作频率 3 GHz、测试频率 2 GHz、技术 SiGe、类型 Variable Gain Amplifiers、工作电源电流 200 mA，采用 LFCSP-20 封装。ADRF6521ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-20
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾，采用 LFCSP-20 封装。HMC-ABH241-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 50～66 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 220 mA，采用 Die 封装。HMC-ALH140-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 24～40 GHz、测试频率 24～40 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 Die 封装。HMC-ALH369-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 24～40 GHz、测试频率 24～27 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 Die 封装。HMC-ALH444-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1～12 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 55 mA，采用 Die 封装。HMC-ALH445-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 18～40 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 45 mA，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。