QPA0524
Qorvo
主要参数包括原产国家或地区 美国、湿敏性 是。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录QPA0524TR7
Qorvo
主要参数包括原产国家或地区 美国。QPA0708T
Qorvo
主要参数包括工作频率 7.9～8.4 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifiers、增益 37.7 dB、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。QPA0812
Qorvo · 封装：QFN-12
主要参数包括工作频率 8.5～10.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、增益 34.4 dB、最大工作温度 + 150 C、原产国家或地区 美国，采用 QFN-12 封装。QPA0812TR7
Qorvo
主要参数包括原产国家或地区 美国。QPA1003P EVAL BOARD
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 28 V、工作频率 1～8 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 650 mA、增益 30 dB。QPA1008SR
Qorvo
主要参数包括原产国家或地区 美国、湿敏性 是、型号别名 QPA1008。QPA1008TR7
Qorvo · 封装：QFN-28
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 2.7～3.8 GHz、技术 Si、类型 Driver Amplifiers、工作电源电流 400 mA，采用 QFN-28 封装。QPA1009
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 10.7～12.7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、增益 16 dB、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。QPA1010TR7
Qorvo
主要参数包括原产国家或地区 美国、湿敏性 是。QPA1011TR7
Qorvo
主要参数包括原产国家或地区 美国、湿敏性 是。QPA1022TR7
Qorvo · 封装：QFN-21
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 22 V、工作频率 8.5～11 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 180 mA，采用 QFN-21 封装。QPA1111
Qorvo · 封装：QFN-40
主要参数包括工作电源电压 22 V、工作频率 8.5～10.5 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 620 mA、增益 27 dB，采用 QFN-40 封装。QPA1111TR7
Qorvo
主要参数包括工作频率 8.5～10.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、增益 38 dB、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。QPA1314
Qorvo · 封装：SMD-10
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 13.75～14.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、增益 29 dB，采用 SMD-10 封装。QPA1314D
Qorvo
主要参数包括工作频率 13.75～14.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、1 dB 压缩点（P1dB） 47.5 dBm、原产国家或地区 美国。QPA1314T
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 13.75～14.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、原产国家或地区 美国。QPA1315
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 15.4～17.7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 640 mA、增益 25 dB。QPA1721D
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括工作电源电压 20 V、工作频率 17.3～21.2 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1 mA, 122 mA、增益 33 dB，采用 Die 封装。QPA1722
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 20 V、工作频率 17.7～20.2 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifiers、增益 26 dB、输出三阶截点（OIP3） 25 dBm。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。