VFJA1491P -125.0M-25M
CTS Electronic Components
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国、湿敏性 是。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录VFJA1491P -156.25M-156.25M
CTS Electronic Components
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国、湿敏性 是。VFJA1491P -156.25M-25M
CTS Electronic Components
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国、湿敏性 是。VFJA1491P -25.0M-25M
CTS Electronic Components
该型号为衰减器，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国、湿敏性 是。TFA16C00DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 20 GHz、技术 Thin Film、衰减 0 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5。TFA16C01DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 20 GHz、技术 Thin Film、衰减 1 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5。TFA16C02DBER
Ohmite · 封装：0603 (1608 metric)
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 20 GHz、最小频率 0 Hz、技术 Thin Film、衰减 2 dB、阻抗 50 Ω，采用 0603 (1608 metric) 封装。TFA16C03DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 20 GHz、技术 Thin Film、衰减 3 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5。TFA16C04DBER
Ohmite · 封装：0603 (1608 metric)
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Thin Film、衰减 4 dB、阻抗 50 Ω、原产国家或地区 日本、最大衰减 4 dB，采用 0603 (1608 metric) 封装。TFA16C05DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 20 GHz、技术 Thin Film、衰减 5 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5。TFA20C05DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 20 GHz、技术 Thin Film、衰减 5 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5。TFA20C06DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括原产国家或地区 日本、单件重量 0.000176 oz。TFA16C06DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括原产国家或地区 日本、单件重量 0.000071 oz。TFA20C04DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括原产国家或地区 日本、单件重量 0.000176 oz。TFA16C07DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 20 GHz、技术 Thin Film、衰减 7 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5。TFA16C08DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括原产国家或地区 日本、单件重量 0.000071 oz。TFA16C09DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 20 GHz、技术 Thin Film、衰减 9 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5。TFA16C10DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括原产国家或地区 日本、单件重量 0.000071 oz。TFA20C00DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 20 GHz、技术 Thin Film、衰减 0 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5。TFA20C01DBER
Ohmite
该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、最大频率 20 GHz、技术 Thin Film、衰减 1 dB、阻抗 50 Ω、最大电压驻波比 1.5。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。