ChipSourceHub 美芯科技

射频与无线

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

20,447 条型号记录
每页 20 条

MMA-005022-M4

CML Micro · 封装:QFN-20

主要参数包括工作频率 30 kHz to 50 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、增益 15.5 dB、1 dB 压缩点(P1dB) 22 dBm、输出三阶截点(OIP3) 37 dBm,采用 QFN-20 封装。

MMA-005022B

CML Micro · 封装:Die

主要参数包括工作频率 30 kHz to 50 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 210 mA、增益 15.5 dB、噪声系数(NF) 9 dB,采用 Die 封装。

MMA-011015

CML Micro · 封装:Die

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 1~10 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 80 mA,采用 Die 封装。

MMA-053026-M4

CML Micro

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 900 MHz to 2 GHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、增益 11 dB。

MMA-062020

CML Micro · 封装:Die

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3~6 V、工作频率 6~22 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 130 mA,采用 Die 封装。

MMA-062020-C3

CML Micro · 封装:QFN-12

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3~6 V、工作频率 6~22 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 130 mA,采用 QFN-12 封装。

MMA-070936

CML Micro · 封装:QFN-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 7~8.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2~4 A,采用 QFN-32 封装。

MMA-070936-M5

CML Micro · 封装:QFN-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 7~8.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2~4 A,采用 QFN-32 封装。

MMA-121633

CML Micro · 封装:QFN-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4~6 V、工作频率 12.5~15.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.2~2.5 A,采用 QFN-32 封装。

MMA-121633-M5

CML Micro · 封装:QFN-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4~6 V、工作频率 12.5~15.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.2~2.5 A,采用 QFN-32 封装。

MMA-172135

CML Micro · 封装:QFN-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 17~21 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2 A,采用 QFN-32 封装。

MMA-172135-M5

CML Micro · 封装:QFN-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 17~21 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2 A,采用 QFN-32 封装。

MMA-172135D

CML Micro · 封装:Die

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 17~21 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.5~2.8 A,采用 Die 封装。

MMA-243034D-M5

CML Micro · 封装:QFN-32

主要参数包括工作频率 24~30 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2.1 A、增益 23 dB、1 dB 压缩点(P1dB) 34 dBm,采用 QFN-32 封装。

MMA-273036

CML Micro · 封装:QFN-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 27.5~30 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2.5 A,采用 QFN-32 封装。

MMA-273036-M5

CML Micro · 封装:QFN-32

主要参数包括工作频率 27.5~30 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 3 A、增益 22 dB、1 dB 压缩点(P1dB) 35 dBm,采用 QFN-32 封装。

MMA-273334D

CML Micro · 封装:QFN-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 27~33 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、增益 26 dB,采用 QFN-32 封装。

MMA-273334D-M5

CML Micro · 封装:QFN-32

主要参数包括工作频率 27~33 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.6 A、增益 26 dB、1 dB 压缩点(P1dB) 33 dBm,采用 QFN-32 封装。

MMA-273336

CML Micro · 封装:Die

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 27~33 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2.5 A,采用 Die 封装。

MMA-273336-M5

CML Micro · 封装:QFN-32

主要参数包括工作频率 27~33 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2.5 A、增益 22 dB、1 dB 压缩点(P1dB) 35 dBm,采用 QFN-32 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库|技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技