MMA-005022-M4
CML Micro · 封装:QFN-20
主要参数包括工作频率 30 kHz to 50 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、增益 15.5 dB、1 dB 压缩点(P1dB) 22 dBm、输出三阶截点(OIP3) 37 dBm,采用 QFN-20 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
CML Micro · 封装:QFN-20
主要参数包括工作频率 30 kHz to 50 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、增益 15.5 dB、1 dB 压缩点(P1dB) 22 dBm、输出三阶截点(OIP3) 37 dBm,采用 QFN-20 封装。CML Micro · 封装:Die
主要参数包括工作频率 30 kHz to 50 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 210 mA、增益 15.5 dB、噪声系数(NF) 9 dB,采用 Die 封装。CML Micro · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 1~10 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 80 mA,采用 Die 封装。CML Micro
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 900 MHz to 2 GHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、增益 11 dB。CML Micro · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3~6 V、工作频率 6~22 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 130 mA,采用 Die 封装。CML Micro · 封装:QFN-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3~6 V、工作频率 6~22 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 130 mA,采用 QFN-12 封装。CML Micro · 封装:QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 7~8.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2~4 A,采用 QFN-32 封装。CML Micro · 封装:QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 7~8.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2~4 A,采用 QFN-32 封装。CML Micro · 封装:QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4~6 V、工作频率 12.5~15.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.2~2.5 A,采用 QFN-32 封装。CML Micro · 封装:QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4~6 V、工作频率 12.5~15.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.2~2.5 A,采用 QFN-32 封装。CML Micro · 封装:QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 17~21 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2 A,采用 QFN-32 封装。CML Micro · 封装:QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 17~21 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2 A,采用 QFN-32 封装。CML Micro · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 17~21 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.5~2.8 A,采用 Die 封装。CML Micro · 封装:QFN-32
主要参数包括工作频率 24~30 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2.1 A、增益 23 dB、1 dB 压缩点(P1dB) 34 dBm,采用 QFN-32 封装。CML Micro · 封装:QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 27.5~30 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2.5 A,采用 QFN-32 封装。CML Micro · 封装:QFN-32
主要参数包括工作频率 27.5~30 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 3 A、增益 22 dB、1 dB 压缩点(P1dB) 35 dBm,采用 QFN-32 封装。CML Micro · 封装:QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 27~33 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、增益 26 dB,采用 QFN-32 封装。CML Micro · 封装:QFN-32
主要参数包括工作频率 27~33 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.6 A、增益 26 dB、1 dB 压缩点(P1dB) 33 dBm,采用 QFN-32 封装。CML Micro · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 27~33 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2.5 A,采用 Die 封装。CML Micro · 封装:QFN-32
主要参数包括工作频率 27~33 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2.5 A、增益 22 dB、1 dB 压缩点(P1dB) 35 dBm,采用 QFN-32 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。