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CML Micro · 封装:VQFN-20
主要参数包括工作电源电压 4 V、工作频率 26.5~29.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 109 mA、增益 22.5 dB,采用 VQFN-20 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
CML Micro · 封装:VQFN-20
主要参数包括工作电源电压 4 V、工作频率 26.5~29.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 109 mA、增益 22.5 dB,采用 VQFN-20 封装。CML Micro · 封装:VQFN-16
主要参数包括工作电源电压 3~5 V、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 10 mA、增益 17.5 dB、噪声系数(NF) 4 dB,采用 VQFN-16 封装。CML Micro · 封装:VQFN-16
主要参数包括工作电源电压 3~5 V、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 10 mA、增益 17.5 dB、噪声系数(NF) 4 dB,采用 VQFN-16 封装。CML Micro
主要参数包括原产国家或地区 GB、湿敏性 是。CML Micro · 封装:VQFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7~5 V、工作频率 1.4~1.7 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 22 mA,采用 VQFN-16 封装。CML Micro · 封装:VQFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7~5 V、工作频率 1.4~1.7 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 22 mA,采用 VQFN-16 封装。CML Micro · 封装:VQFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7~5 V、工作频率 1.4~1.7 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 22 mA,采用 VQFN-16 封装。CML Micro
主要参数包括原产国家或地区 GB。CML Micro · 封装:VQFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7~5 V、工作频率 1.4~7.1 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 20 mA,采用 VQFN-16 封装。CML Micro · 封装:VQFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7~5 V、工作频率 1.4~7.1 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 20 mA,采用 VQFN-16 封装。CML Micro · 封装:VQFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7~5 V、工作频率 1.4~7.1 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 20 mA,采用 VQFN-16 封装。CML Micro · 封装:VQFN-16
主要参数包括工作电源电压 2.7~5 V、工作频率 6~18 GHz、技术 Si、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 24 mA、增益 10.5 dB,采用 VQFN-16 封装。CML Micro · 封装:VQFN-16
主要参数包括工作电源电压 2.7~5 V、工作频率 6~18 GHz、技术 Si、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 24 mA、增益 11.5 dB,采用 VQFN-16 封装。CML Micro · 封装:QFN-10
主要参数包括工作频率 2.4~2.7 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 400 mA、增益 15 dB、1 dB 压缩点(P1dB) 33 dBm,采用 QFN-10 封装。CML Micro
主要参数包括工作频率 4.4~5.9 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 400 mA、增益 12 dB、1 dB 压缩点(P1dB) 33 dBm。CML Micro · 封装:SSMD-10
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 4.4~5.9 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 100~400 mA,采用 SSMD-10 封装。CML Micro
主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 5.1~5.8 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifiers、增益 16 dB、输出三阶截点(OIP3) 44 dBm。CML Micro
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 7.1~8.5 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.3 A。CML Micro
主要参数包括工作频率 7.1~8.5 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2.4 A、增益 12 dB、1 dB 压缩点(P1dB) 44 dBm。CML Micro
主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 30 kHz to 40 GHz、技术 Si、类型 Low Noise Amplifiers、增益 16 dB、1 dB 压缩点(P1dB) 23 dBm。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。