GRF0012
Guerrilla RF · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 28 V、工作频率 0 Hz to 12 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 General Purpose Amplifiers、增益 21 dB、原产国家或地区 马来西亚，采用 QFN-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录GRF2010
Guerrilla RF · 封装：DFN-6
主要参数包括工作电源电压 9 V、工作频率 50 MHz to 5 GHz、测试频率 2 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 60 mA，采用 DFN-6 封装。GRF0030
Guerrilla RF
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。GRF0090
Guerrilla RF · 封装：DFN-14
主要参数包括通道数 5 个通道、工作电源电压 50 V、工作频率 0 Hz to 3.7 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifiers、增益 12.9 dB，采用 DFN-14 封装。GRF0135
Guerrilla RF · 封装：DFN-14
主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电压 55 V、工作频率 0 Hz to 3.2 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifiers、增益 13.5 dB，采用 DFN-14 封装。GRF2010W
Guerrilla RF · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 50 MHz to 5 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 90 mA，采用 DFN-6 封装。GRF2011
Guerrilla RF
主要参数包括工作电源电压 2.7～8 V、工作频率 50 MHz to 3.8 GHz、测试频率 900 MHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 100 mA。GRF2012W
Guerrilla RF · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～8 V、工作频率 50 MHz to 6 GHz、测试频率 900 MHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifiers，采用 DFN-6 封装。GRF2013W
Guerrilla RF · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～8 V、工作频率 50 MHz to 8 GHz、测试频率 1.9 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifiers，采用 DFN-6 封装。GRF2040
Guerrilla RF · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～9 V、工作频率 50 MHz to 5 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 90 mA，采用 DFN-6 封装。86010142
HUBER+SUHNER
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 3.3～5.5 V、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 30 mA、增益 25 dB、噪声系数（NF） 2 dB。Driver Circuit Board DCB.S3.390
Innovative Sensor Technology
主要参数包括工作电源电压 3～13 V、类型 Driver Amplifiers、原产国家或地区 德国、型号别名 155822。Driver Circuit Board DCB.39.700
Innovative Sensor Technology
主要参数包括工作电源电压 3～13 V、类型 Driver Amplifiers、原产国家或地区 德国、型号别名 155681。Driver Circuit Board DCB.8.2500 )
Innovative Sensor Technology
主要参数包括工作电源电压 3～13 V、类型 Driver Amplifiers、原产国家或地区 德国、型号别名 155804。Driver Circuit Board DCB.S3.175
Innovative Sensor Technology
主要参数包括工作电源电压 3～13 V、类型 Driver Amplifiers、型号别名 155805。Driver Circuit Board DCB.S3.290
Innovative Sensor Technology
主要参数包括工作电源电压 3～13 V、类型 Driver Amplifiers、型号别名 155806。Driver Circuit Board DCB.S3.330
Innovative Sensor Technology
主要参数包括工作电源电压 3～13 V、类型 Driver Amplifiers、原产国家或地区 德国、型号别名 155821。eRICA-868
LPRS
主要参数包括工作电源电压 3 V、工作频率 850～950 MHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 302 mA、增益 10 dB。MMA-273034D-M5
MicroWave Technology · 封装：QFN-32
主要参数包括工作频率 27～30 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.6 A、增益 26 dB、1 dB 压缩点（P1dB） 33 dBm，采用 QFN-32 封装。MMA-445933-M5
MicroWave Technology · 封装：QFN-32
主要参数包括工作频率 4.9～5.9 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 600 mA、增益 11 dB、1 dB 压缩点（P1dB） 33 dBm，采用 QFN-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。