AFSC5G37D37T2
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935377767528。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录QPA9424TR13
Qorvo · 封装：SMD-14
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.6～5.25 V、工作频率 2.3～2.4 GHz、测试频率 2.35 GHz、类型 High Linearity 3-Stage Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 35.4 dBm，采用 SMD-14 封装。QPA9424SR
Qorvo · 封装：SMD-14
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.6～5.25 V、工作频率 2.3～2.4 GHz、测试频率 2.35 GHz、类型 High Linearity 3-Stage Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 35.4 dBm，采用 SMD-14 封装。QPA9418SR
Qorvo · 封装：SMD-14
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.6～5.25 V、工作频率 1.805～1.93 GHz、测试频率 1.84 GHz、技术 硅、类型 High Linearity 2-Stage Power Amplifier，采用 SMD-14 封装。AFSC5G26D37T2
NXP Semiconductors
主要参数包括工作电源电压 26 V、最大工作温度 + 125 C、产品 Power Amplifier Modules、型号别名 935345736528。AFSC5G23D37T2
NXP Semiconductors
主要参数包括工作电源电压 26 V、最大工作温度 + 125 C、产品 Power Amplifier Modules、型号别名 935373052528。AFSC5G35D35T2
NXP Semiconductors
主要参数包括工作电源电压 24 V、最大工作温度 + 125 C、产品 Power Amplifier Modules、型号别名 935363153528。MML25231HT1
NXP Semiconductors · 封装：DFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1～4 GHz、测试频率 2.6 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier，采用 DFN-8 封装。MMZ27333BT1
NXP Semiconductors · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 3 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1.5～2.7 GHz、测试频率 2.6 GHz、类型 High Gain Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 32.2 dBm，采用 QFN-24 封装。MMZ38333BT1
NXP Semiconductors · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3400～3800 MHz、测试频率 3600 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 Linear Power Amplifier，采用 QFN-24 封装。MW7IC2020NT1
NXP Semiconductors · 封装：PQFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 26～32 V、工作频率 1.805～2.17 GHz、类型 LDMOS Wideband、湿敏性 是、型号别名 935321681528，采用 PQFN-24 封装。MMA20312BVT1
NXP Semiconductors · 封装：QFN-12
主要参数包括技术 GaAs InGaP、类型 HBT Amplifier、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、型号别名 935310845547、单件重量 0.000776 oz，采用 QFN-12 封装。MML20242HT1
NXP Semiconductors · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 1400～2800 MHz、测试频率 1950 MHz、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 24 dBm、增益 34 dB，采用 QFN-12 封装。MMZ09332BT1
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935320715167、单件重量 0.000776 oz。MMG3006NT1
NXP Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 6 V、工作频率 400 MHz to 2.4 GHz、测试频率 900 MHz、类型 General Purpose Amplifier、增益 17.5 dB。MML09212HT1
NXP Semiconductors · 封装：QFN-12
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 400～1400 MHz、测试频率 900 MHz、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22.8 dBm、增益 37.5 dB，采用 QFN-12 封装。MMG3002NT1
NXP Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 40 MHz to 3.6 GHz、测试频率 900 MHz、类型 General Purpose Amplifier、增益 20 dB、噪声系数（NF） 4.2 dB。TN9269
API Technologies - Spectrum Control · 封装：SM-3
主要参数包括工作电源电压 15 V、工作频率 5～1300 MHz、技术 硅、类型 RF Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm、增益 22 dB，采用 SM-3 封装。QPM1021
Qorvo · 封装：19.05 mm x 19.05 mm x 4.52 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 10～12 GHz、测试频率 12 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier，采用 19.05 mm x 19.05 mm x 4.52 mm 封装。TQC9305TR13
Qorvo
RF Amplifier型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。