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型号列表

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SC1894A-00C13E

Maxim Integrated · 封装:QFN-64

主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 3.3 V、工作频率 225~3800 MHz、类型 RF Front End、工作电源电流 840 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C,采用 QFN-64 封装。

HMC441LP3TR

Analog Devices · 封装:Power Amplifiers

主要参数包括通道数 1 个通道,采用 Power Amplifiers 封装。

HMC452ST89

Analog Devices / Hittite · 封装:SOT-89-4

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.4~2.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 31.5 dBm,采用 SOT-89-4 封装。

HMC407MS8G

Analog Devices / Hittite · 封装:MSOP-8

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5~7 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 25 dBm,采用 MSOP-8 封装。

MAX2674EWT+T

Maxim Integrated · 封装:WLP-6

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 1575.42 MHz、频率范围 1575.42~1610 MHz、类型 GPS/GNSS Low Noise Amplifier、增益 18 dB,采用 WLP-6 封装。

SC1894A-00C13

Maxim Integrated · 封装:QFN

主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 3.3 V、工作频率 225~3800 MHz、类型 RF Front End、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、带宽 1.2~75 MHz,采用 QFN 封装。

HMC356LP3TR

Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-16

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 350~550 MHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 21 dBm,采用 QFN-16 封装。

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