ChipSourceHub 美芯科技

射频与无线

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

20,447 条型号记录
每页 20 条

TGA2701-SM T/R

Qorvo · 封装:QFN-28

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 5.9~9 GHz、测试频率 5.9~9 GHz、类型 C-Band Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 34 dBm,采用 QFN-28 封装。

HMC8411TCPZ-EP-R7

Analog Devices · 封装:LFCSP-6

主要参数包括工作电源电压 2~6 V、工作频率 0.01 GHz to 1 GHz, 1 GHz to 6 GHz, 6 GHz to 10 GHz、技术 GaAs、1 dB 压缩点(P1dB) 20 dBm, 17 dBm、增益 15.5 dB、噪声系数(NF) 1.8 dB, 1.7 dB, 2 dB,采用 LFCSP-6 封装。

QPA3333TR13

Qorvo · 封装:11 mm x 8.5 mm x 1.375 mm

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45~1218 MHz、测试频率 1218 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Power Doubler,采用 11 mm x 8.5 mm x 1.375 mm 封装。

MAAP-011250-TR0500

MACOM · 封装:QFN-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 27.5~30 GHz、类型 Power Amplifier、湿敏性 是,采用 QFN-32 封装。

QPA1027TR7

Qorvo · 封装:QFN-28

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 50 V、工作频率 2.8~3.5 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifier、增益 31 dB,采用 QFN-28 封装。

F1455

IDT · 封装:QFN-28

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1400~2300 MHz、测试频率 1.88 GHz、技术 硅、类型 Digital Variable Gain Amplifier,采用 QFN-28 封装。

HMC637BPM5ETR

Analog Devices / Hittite · 封装:LFCSP-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 DC to 7.5 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC、1 dB 压缩点(P1dB) 28 dBm,采用 LFCSP-32 封装。

QPA1014TR7X

Qorvo · 封装:QFN-28

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.7~3.7 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 30.3 dB,采用 QFN-28 封装。

TGA4548-SMTR7

Qorvo · 封装:QFN-24

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 17~20 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 27 dB,采用 QFN-24 封装。

QPD0060TR7

Qorvo · 封装:DFN-6

主要参数包括工作电源电压 48 V、工作频率 DC to 2.7 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifier、增益 25 dB、湿敏性 是,采用 DFN-6 封装。

F1241NBGI8

IDT · 封装:VFQFPN-32

主要参数包括商品名称 FlatNoise、型号别名 IDTF1241,采用 VFQFPN-32 封装。

F1456NKGK8

IDT · 封装:QFN-28

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2100~2950 MHz、测试频率 2.65 GHz、类型 TX Digital VGA、1 dB 压缩点(P1dB) 21.9 dBm,采用 QFN-28 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库|技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技