TGA4532-SM T/R
Qorvo · 封装：QFN-20
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 17.7～19.7 GHz、类型 K-Band Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 31 dBm、增益 23 dB，采用 QFN-20 封装。射频与无线
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
20,447 条型号记录MHT2012NT1
NXP Semiconductors · 封装：PQFN-24
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2400～2500 MHz、测试频率 2450 MHz、类型 RF LDMOS Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 42.3 dBm，采用 PQFN-24 封装。TGA4534-SM T/R
Qorvo
主要参数包括型号别名 1083780。PTMC210404MD-V1-R5
Wolfspeed / Cree · 封装：PG-HB1DSO-14-1
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 0～32 V、工作频率 1805～2200 MHz、测试频率 1990 MHz、技术 硅、类型 Wideband LDMOS Two-stage Integrated Power Amplifier，采用 PG-HB1DSO-14-1 封装。HMC577LC4BTR-R5
Analog Devices · 封装：RF Amplifier
采用 RF Amplifier 封装。HMC994APM5ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 DC to 28 GHz、测试频率 20～28 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC，采用 LFCSP-32 封装。TGA2817-SM
Qorvo · 封装：QFN-48
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.9～3.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 24 dB，采用 QFN-48 封装。A2I09VD050GNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WBG-15
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 48 V、工作频率 575～960 MHz、测试频率 920～960 MHz、类型 RF LDMOS Wideband、增益 36.5 dB，采用 TO-270WBG-15 封装。RFPA1702TR13
Qorvo · 封装：QFN-40
采用 QFN-40 封装。TGA2535-SM T/R
Qorvo
主要参数包括型号别名 1081731。F1423NBGI8
IDT
主要参数包括商品名称 Zero-Distortion。HMC797APM5ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 DC to 22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC，采用 QFN-32 封装。RFCM5304TR13
Qorvo · 封装：LGA-21
主要参数包括通道数 5 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 5～220 MHz、技术 硅、类型 Integrated Reverse Amplifier、增益 41.2 dB，采用 LGA-21 封装。F0448NBGK8
IDT · 封装：QFN-36
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3.4～3.8 GHz、测试频率 3.6 GHz、类型 DVGA、1 dB 压缩点（P1dB） 24 dBm，采用 QFN-36 封装。RFCM4363TR13
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 45 MHz to 1.218 GHz、测试频率 1.218 GHz、技术 GaAs GaN、类型 CATV Amplifier、增益 28 dB。MAAM-010144-TR3000
MACOM
RF AmplifierPTMC210204MD-V1-R5
Wolfspeed / Cree · 封装：PG-HB1DSO-14-1
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 1805～2200 MHz、测试频率 1990 MHz、技术 硅、类型 Power Amplifier，采用 PG-HB1DSO-14-1 封装。RFDA3016TR13
Qorvo · 封装：QFN-28
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3～3.8 GHz、测试频率 3.5 GHz、类型 Digitally Controlled Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 30.4 dBm，采用 QFN-28 封装。QPA3503TR13
Qorvo · 封装：SMD-36
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 3.4～3.6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 32 dB，采用 SMD-36 封装。TGA2760-SM-T/R
Qorvo · 封装：8 mm x 10 mm x 2 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V, 28 V、工作频率 10～11.7 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、增益 33 dB，采用 8 mm x 10 mm x 2 mm 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。