BGU8063J
NXP Semiconductors · 封装:HVSON-10
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、测试频率 2500 MHz、类型 LNA、1 dB 压缩点(P1dB) 19 dBm、增益 18.5 dB,采用 HVSON-10 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
NXP Semiconductors · 封装:HVSON-10
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、测试频率 2500 MHz、类型 LNA、1 dB 压缩点(P1dB) 19 dBm、增益 18.5 dB,采用 HVSON-10 封装。Qorvo · 封装:SMD-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3400~3800 MHz、测试频率 3600 MHz、技术 硅、类型 Balanced Amplifier,采用 SMD-16 封装。Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX2180A。IDT
主要参数包括工作频率 9.9~12.5 GHz。Qorvo
主要参数包括工作电源电压 30 V、工作频率 3.6 GHz、测试频率 3.3 GHz、频率范围 3.1~3.6 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier。Qorvo · 封装:QFN-EP-16
主要参数包括型号别名 1065065,采用 QFN-EP-16 封装。MACOM
RF AmplifierQorvo · 封装:QFN-20
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 21.2~23.6 GHz、类型 K-Band Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 31 dBm、增益 22 dB,采用 QFN-20 封装。Qorvo
主要参数包括型号别名 1096125。Qorvo
主要参数包括型号别名 1083350。Qorvo
主要参数包括型号别名 1083777。Qorvo · 封装:MCM-32
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 5~300 MHz、技术 硅、类型 Integrated Reverse Amplifier、增益 35.6 dB,采用 MCM-32 封装。Qorvo
主要参数包括工作频率 700 MHz to 960 MHz, 1710 MHz to 2155 MHz。Qorvo · 封装:QFN-20
主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 45~1218 MHz、技术 硅、类型 Video Receiver、增益 37.5 dB,采用 QFN-20 封装。Qorvo · 封装:QFN-16
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 17~24 GHz、测试频率 17~24 GHz、类型 Power Amplifier,采用 QFN-16 封装。Qorvo
主要参数包括湿敏性 是。Qorvo · 封装:QFN-13
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 4~14.2 GHz、类型 Balanced LNA、1 dB 压缩点(P1dB) 6 dBm、增益 22 dB,采用 QFN-13 封装。Analog Devices
RF Amplifier Analog Variable Gain amp SMT 17-27 GHzNXP Semiconductors · 封装:TO-270WBG-17
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 3200~4000 MHz、测试频率 3800 MHz、类型 Wideband、增益 27.8 dB,采用 TO-270WBG-17 封装。Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 RF5288。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。