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型号列表

20,447 条型号记录
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RFFM4227TR13-10K

Qorvo · 封装:DFN-6

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2400~2500 MHz、类型 WiFi、1 dB 压缩点(P1dB) - 5 dBm、增益 15 dB,采用 DFN-6 封装。

SST12CP12-QUCE

Microchip Technology · 封装:UQFN-16

主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 2.4~2.5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、增益 33 dB、工作电源电流 600 mA,采用 UQFN-16 封装。

QPL1002TR7

Qorvo · 封装:QFN-16

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 0.03~3 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 LNA、1 dB 压缩点(P1dB) 23 dBm,采用 QFN-16 封装。

BGS8L4UK/SZ

NXP / Freescale · 封装:WLCSP-6

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.5~3.1 V、工作频率 720~960 MHz、测试频率 943 MHz、技术 SiGe、类型 LNA,采用 WLCSP-6 封装。

MAX2181AETE/V+T

Maxim Integrated

主要参数包括认证等级 AEC-Q100、型号别名 MAX2181A。

RFPA5512STR13

Qorvo · 封装:QFN-20

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 4.9~5.85 GHz、类型 WiFi Integrated PA、1 dB 压缩点(P1dB) 33 dBm、增益 33 dB,采用 QFN-20 封装。

RFPA5512PTR13

Qorvo · 封装:QFN-20

主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 5.18~5.925 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 WiFi Integrated PA、1 dB 压缩点(P1dB) 33 dBm、增益 33 dB,采用 QFN-20 封装。

QPD0060SR

Qorvo · 封装:DFN-6

主要参数包括工作电源电压 48 V、工作频率 DC to 2.7 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifier、增益 25 dB、湿敏性 是,采用 DFN-6 封装。

QPB3321TR13

Qorvo · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V, 8 V、工作频率 5~210 MHz、技术 硅、类型 Return Path Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 24 dBm,采用 SOIC-8 封装。

QPB3311TR13

Qorvo · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V, 8 V、工作频率 5~210 MHz、技术 硅、类型 Return Path Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 23.5 dBm,采用 SOIC-8 封装。

QPB2318TR13

Qorvo · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V, 8 V、工作频率 5~210 MHz、技术 硅、类型 Balanced Return Path Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 26.2 dB,采用 SOIC-8 封装。

QPB2328TR13

Qorvo · 封装:SOIC-8

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 5~210 MHz、技术 硅、类型 Balanced Return Path Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 27 dBm,采用 SOIC-8 封装。

BGS8L5UKZ

NXP Semiconductors · 封装:XSON-6

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.5~3.1 V、工作频率 617~960 MHz、测试频率 943 MHz、技术 SiGe、类型 LNA,采用 XSON-6 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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