BGM17LBA15E6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装:ATSLP-15-1
主要参数包括工作电源电压 1.7~3.1 V、工作频率 703~960 MHz、类型 LNA、1 dB 压缩点(P1dB) - 4 dBm、增益 12.8 dB、噪声系数(NF) 1.3 dB,采用 ATSLP-15-1 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Infineon Technologies · 封装:ATSLP-15-1
主要参数包括工作电源电压 1.7~3.1 V、工作频率 703~960 MHz、类型 LNA、1 dB 压缩点(P1dB) - 4 dBm、增益 12.8 dB、噪声系数(NF) 1.3 dB,采用 ATSLP-15-1 封装。MACOM
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 8.5~10.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、增益 17 dB。IDT · 封装:VFQFPN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1800~5000 MHz、测试频率 3550 MHz、类型 High Gain、1 dB 压缩点(P1dB) 25.5 dBm,采用 VFQFPN-16 封装。Qorvo
RF Amplifier QPA2626D 17-23 GHz LNA dieNXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 934068938147、单件重量 0.000093 oz。NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 934069559147。Infineon Technologies · 封装:ATSLP-9-1
主要参数包括工作电源电压 1.6~3.1 V、工作频率 1805~2690 MHz、类型 LNA、1 dB 压缩点(P1dB) - 12 dBm、增益 14.3 dB、噪声系数(NF) 5.3 dB,采用 ATSLP-9-1 封装。Skyworks Solutions, Inc.
RF Amplifier 2.0-3.0 GHzHighLinearity active bias LNAInfineon Technologies · 封装:ATSLP-12-6
主要参数包括工作电源电压 1.7~3.1 V、工作频率 703~960 MHz、类型 LNA、1 dB 压缩点(P1dB) - 4 dBm、增益 12.8 dB、噪声系数(NF) 3 dB,采用 ATSLP-12-6 封装。MACOM
RF Amplifier 50-1000MHz NF 3.5dB Gain30.5dBMicrochip / Microsemi
RF Amplifier LX5564SP-TRNXP Semiconductors · 封装:XSON6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.5~3.1 V、工作频率 617~960 MHz、测试频率 943 MHz、技术 SiGe、类型 LNA,采用 XSON6 封装。Microchip Technology · 封装:QFN-8
主要参数包括工作电源电压 3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作频率 2.4~2.5 GHz、测试频率 2.4 GHz、类型 Power Amplifier,采用 QFN-8 封装。Qorvo · 封装:11 mm x 11 mm x 1.375 mm
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 5~220 MHz、测试频率 220 MHz、技术 硅、类型 SI-BJT Integrated Amplifier,采用 11 mm x 11 mm x 1.375 mm 封装。IDT · 封装:QFN-28
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2100~2950 MHz、测试频率 2.65 GHz、类型 TX Digital VGA、1 dB 压缩点(P1dB) 21.9 dBm,采用 QFN-28 封装。IDT
主要参数包括商品名称 FlatNoise。Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 RF5325。Qorvo
主要参数包括型号别名 1081301。Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 BGA E6327 H1A10 SP002641708。Microchip / Microsemi
RF Amplifier LX5535LQ-TR-13122型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。