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BGM17LBA15E6327XTSA1

Infineon Technologies · 封装:ATSLP-15-1

主要参数包括工作电源电压 1.7~3.1 V、工作频率 703~960 MHz、类型 LNA、1 dB 压缩点(P1dB) - 4 dBm、增益 12.8 dB、噪声系数(NF) 1.3 dB,采用 ATSLP-15-1 封装。

MAAP-015024-DIER

MACOM

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 8.5~10.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、增益 17 dB。

F1478NLGA

IDT · 封装:VFQFPN-16

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1800~5000 MHz、测试频率 3550 MHz、类型 High Gain、1 dB 压缩点(P1dB) 25.5 dBm,采用 VFQFPN-16 封装。

BGS8358Z

NXP Semiconductors

主要参数包括型号别名 934068938147、单件重量 0.000093 oz。

BGM13HBA9E6327XTSA1

Infineon Technologies · 封装:ATSLP-9-1

主要参数包括工作电源电压 1.6~3.1 V、工作频率 1805~2690 MHz、类型 LNA、1 dB 压缩点(P1dB) - 12 dBm、增益 14.3 dB、噪声系数(NF) 5.3 dB,采用 ATSLP-9-1 封装。

SKYA21018

Skyworks Solutions, Inc.

RF Amplifier 2.0-3.0 GHzHighLinearity active bias LNA

BGM15LBA12E6327XTSA1

Infineon Technologies · 封装:ATSLP-12-6

主要参数包括工作电源电压 1.7~3.1 V、工作频率 703~960 MHz、类型 LNA、1 dB 压缩点(P1dB) - 4 dBm、增益 12.8 dB、噪声系数(NF) 3 dB,采用 ATSLP-12-6 封装。

BGS8L5X

NXP Semiconductors · 封装:XSON6

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.5~3.1 V、工作频率 617~960 MHz、测试频率 943 MHz、技术 SiGe、类型 LNA,采用 XSON6 封装。

SST12LP07E-QX8E

Microchip Technology · 封装:QFN-8

主要参数包括工作电源电压 3~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作频率 2.4~2.5 GHz、测试频率 2.4 GHz、类型 Power Amplifier,采用 QFN-8 封装。

RFCM5304SR

Qorvo · 封装:11 mm x 11 mm x 1.375 mm

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 5~220 MHz、测试频率 220 MHz、技术 硅、类型 SI-BJT Integrated Amplifier,采用 11 mm x 11 mm x 1.375 mm 封装。

F1456NKGK

IDT · 封装:QFN-28

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2100~2950 MHz、测试频率 2.65 GHz、类型 TX Digital VGA、1 dB 压缩点(P1dB) 21.9 dBm,采用 QFN-28 封装。

BGAH1A10E6327XTSA1

Infineon Technologies

主要参数包括型号别名 BGA E6327 H1A10 SP002641708。

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