HMC519LC4TR-R5
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MMRF2011NT1
NXP Semiconductors · 封装：HQFN-24
主要参数包括工作电源电压 28 V、工作频率 698～960 MHz、类型 Wideband、认证等级 AEC-Q100、型号别名 935336897528、单件重量 0.014095 oz，采用 HQFN-24 封装。HMC963LC4TR-R5
Analog Devices · 封装：$45.09
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 $45.09 封装。HMC342LC4TR-R5
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。MAAP-011022-TR500
MACOM
RF Amplifier 2.7-3.0GHz 7 Watt Gain 23dB GaAsTGA2807-SM T/R
Qorvo · 封装：QFN-28
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 40～1000 MHz、技术 硅、类型 Ultra-Linear Gain Amplifier、增益 18.5 dB，采用 QFN-28 封装。TGA2807-SM-T/R
Qorvo · 封装：QFN-28
主要参数包括工作电源电压 6 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 750 MHz、类型 Linear Amplifier、增益 18.5 dB、噪声系数（NF） 2.5 dB，采用 QFN-28 封装。PTMC210124MD-V1-R5
Wolfspeed / Cree · 封装：PG-HB1DSO-14-1
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 0～32 V、工作频率 1805～2200 MHz、测试频率 2170 MHz、技术 硅、类型 Wideband LDMOS Two-stage Integrated Power Amplifier，采用 PG-HB1DSO-14-1 封装。SWA5001Z
Qorvo
RF Amplifier SWA5001ZMAALSS0043TR-3000
MACOM
RF AmplifierQPB7464TR13
Qorvo · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 50～2600 MHz、技术 GaAs、类型 pHEMT RF Amplifier、增益 11.5 dBm，采用 SOIC-8 封装。HMC752LC4TR-R5
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。QPA9908TR13
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是。UAPM65S2C
Microchip / Microsemi
RF Amplifier DC-65GHz MMIC Amplifier w/ PLFXRFDA0015TR13
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 50～850 MHz、测试频率 850 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 Cellular，采用 QFN-32 封装。MAAP-118260-TR0500
MACOM · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17.7～26.5 GHz、测试频率 24～26.5 GHz、类型 Linear Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 28.5 dBm，采用 QFN-24 封装。MAX2180AETG/V+T
Maxim Integrated
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、型号别名 MAX2180A。MAX2181ETE/V+T
Maxim Integrated
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、型号别名 MAX2181。RFPA2226TR13
Qorvo · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2.2～2.7 GHz、测试频率 2.7 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Linearity Power Amplifier，采用 DFN-6 封装。TQM7M6125
Qorvo · 封装：QFN-EP-16
主要参数包括型号别名 1095622，采用 QFN-EP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。