MMA004AA
Microchip / Microsemi · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 6～18 GHz、测试频率 18 GHz、类型 LNA、1 dB 压缩点（P1dB） 15 dBm，采用 Die 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录SST12LP17B-XX8E
Microchip Technology · 封装：XSON-8
采用 XSON-8 封装。HMC930A-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 DC to 40 GHz、测试频率 32～40 GHz、技术 GaAs、类型 Distributed Amplifier，采用 Die 封装。TAT7461A6A
Qorvo · 封装：SOT89-3
主要参数包括工作电源电压 6 V、工作频率 50～1000 MHz、类型 Single Ended、增益 16.1 dB、噪声系数（NF） 2.3 dB、输出三阶截点（OIP3） 36 dBm，采用 SOT89-3 封装。RF3183SR
Qorvo · 封装：5 mm x 5 mm x 1 mm
主要参数包括工作电源电压 3.6 V、工作频率 824 MHz to 915 MHz, 1710 MHz to 1910 MHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 85 C，采用 5 mm x 5 mm x 1 mm 封装。RFCA3828SR
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 50～1200 MHz、测试频率 1200 MHz、技术 GaAs、类型 High Linearity，采用 SOT-89-3 封装。HMC659LC5TR-R5
Analog Devices · 封装：Logarithmic Detector
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 Logarithmic Detector 封装。LX5516LL
Microchip / Microsemi
RF AmplifierUAPS65SC
Microchip / Microsemi
RF Amplifier DC-65GHz MMIC Amplifier 17 dBmSST12LP15-QVCE
Microchip Technology · 封装：VQFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作电源电流 500 mA、带宽 2.4 GHz、湿敏性 是、单件重量 0.001764 oz，采用 VQFN-16 封装。LX5531LQ-TR
Microchip / Microsemi
RF Amplifier LX5531LQ-TRUAPL45SC
Microchip / Microsemi
RF Amplifier DC-45GHz MMIC Amplifier 23 dBmSMA88-1
MACOM
RF Amplifier 5-300MHz NF 3.8dB Gain 18.5dBSKYA21023
Skyworks Solutions, Inc.
RF Amplifier 2.0-3.0GHz HighLinearity Active bias LNAHMC-ALH508-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。QPB8888SR
Qorvo · 封装：QFN-20
主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 45～1218 MHz、技术 硅、类型 Video Receiver、增益 37.5 dB，采用 QFN-20 封装。RFCA3310SR
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8.5 V、工作频率 50 MHz to 1000 MHz, 5 MHz to 200 MHz、测试频率 500 MHz、技术 GaAs、类型 High Linearity，采用 SOT-89-3 封装。RFPA5502SR
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 5 GHz、类型 3-Stage Power Amplifier、增益 30 dB。HMC760LC4BTR-R5
Analog Devices
RF Amplifier Track&Hold amp, Direct-Coupled, 4.5 GHzTGA2618
Qorvo
主要参数包括型号别名 1101572。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。