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Analog Devices / Hittite · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10~15 V、工作频率 0.1~22 GHz、测试频率 18~22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier,采用 Die 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices / Hittite · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10~15 V、工作频率 0.1~22 GHz、测试频率 18~22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier,采用 Die 封装。Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。Analog Devices · 封装:LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.7~3.8 GHz、测试频率 3.2~3.8 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifier,采用 LFCSP-32 封装。MACOM · 封装:PQFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 9 V、工作频率 100 MHz to 3 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier,采用 PQFN-16 封装。Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1095644。MACOM
RF Amplifier 50-1100MHz NF 4.75dB Gain 1.5dBAnalog Devices / Hittite · 封装:LM1-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17.5~24 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 21.5 dBm,采用 LM1-8 封装。MACOM
RF Amplifier 50-1000MHz NF .6dB Gain 20.5dBAnalog Devices / Hittite · 封装:QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 70 MHz to 4 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 22 dBm,采用 QFN-32 封装。Qorvo · 封装:QFN-16
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 3.3~3.8 GHz、测试频率 3.3~3.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 WiFi Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 32 dBm,采用 QFN-16 封装。MACOM
RF AmplifierMACOM
RF Amplifier 5-1000MHz NF 3.0dB Gain 16.0dBMACOM
RF Amplifier 5-500MHz NF 3.5dB Gain 18.0dBMACOM
RF Amplifier 10-500MHz NF 1.7dB Gain 20.5dBSkyworks Solutions, Inc.
RF Amplifier 5GHZ, 22DBM PA IN 3X3X0.9MM QFNMACOM
RF Amplifier 5-500MHz NF 3.0dB Gain 27.5dBAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5~12 V、工作频率 DC to 1218 MHz、测试频率 204 MHz、类型 General Purpose Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 23.5 dBm。MACOM
RF Amplifier 2-2400MHz NF 4.0dB Gain 9.0dBMACOM
RF Amplifier 10-500MHz NF:7.0dB VSWR: 2:1MACOM
RF Amplifier 5-14GHz Gain 20dB P1dB 11dBm GaAs型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。