MAAM-011117-TR3000
MACOM
RF Amplifier 50-2700MHz Gain 16dB NF 2.7dB 75 Ohm GaAs按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
MACOM
RF Amplifier 50-2700MHz Gain 16dB NF 2.7dB 75 Ohm GaAsMACOM
RF Amplifier 10-250MHz NF 2.5dB Gain 35.5dBQorvo · 封装:QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17~24 GHz、技术 硅、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 27 dBm,采用 QFN-16 封装。Qorvo · 封装:DFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3~5.25 V、工作频率 500~1000 MHz、测试频率 900 MHz、技术 硅、类型 LNA Gain Block Amplifier,采用 DFN-8 封装。Microchip / Microsemi
RF Amplifier MMIC amplifier dieMACOM
RF AmplifierAnalog Devices / Hittite · 封装:QSOP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1.7~2.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 29 dBm,采用 QSOP-16 封装。MACOM
RF Amplifier 27.5-30.0GHz 6 Watt Gain 24dB PAE 23%Analog Devices / Hittite · 封装:SMT-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5.5 V、工作频率 24 GHz to 29 GHz, 29 GHz to 29.5 GHz、技术 GaAs、类型 3-Stage Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 27 dBm,采用 SMT-24 封装。Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1075694。Qorvo · 封装:QFN-28
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 27~32 GHz、类型 Ka-Band Doubler、增益 28 dB、输出三阶截点(OIP3) 31.5 dBm,采用 QFN-28 封装。Analog Devices / Hittite · 封装:LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 0.3~20 GHz、测试频率 14~20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise,采用 LFCSP-32 封装。MACOM · 封装:AQFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 DC to 28 GHz、测试频率 26.5 GHz、技术 GaAs、类型 LNA,采用 AQFN-32 封装。Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道,采用 QFN-24 封装。Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。Analog Devices
RF Amplifier x2 Active mult SMT, 20 - 25 GHzMACOM
主要参数包括湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。