QPB3311SR
Qorvo · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V, 8 V、工作频率 5~210 MHz、技术 硅、类型 Return Path Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 23.5 dBm,采用 SOIC-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Qorvo · 封装:SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V, 8 V、工作频率 5~210 MHz、技术 硅、类型 Return Path Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 23.5 dBm,采用 SOIC-8 封装。Qorvo · 封装:SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 50~3000 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 Amplifier Gain Block、1 dB 压缩点(P1dB) 18.2 dBm,采用 SOT-89-3 封装。MACOM · 封装:View
采用 View 封装。Qorvo
主要参数包括型号别名 1068133。Qorvo · 封装:QFN-20
主要参数包括工作电源电压 4.75~5.25 V、工作频率 5180~5925 MHz、技术 硅、增益 33 dB、工作电源电流 150 mA、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-20 封装。MACOM
RF Amplifier 20-500MHz NF 3.6dB Gain 17.0dBMACOM
RF Amplifier 20-250MHz NF 2.4dB Gain 25.0dBMACOM
RF Amplifier 1-4GHz NF 3.5dB Gain 18dBMACOM
RF Amplifier 3.1-3.5GHz 130W Gain 7.9dBSkyworks Solutions, Inc.
RF Amplifier 350~470MHz TETRA PAQorvo
主要参数包括工作电源电压 12 V、工作频率 45 MHz to 1.218 GHz、测试频率 1.218 GHz、技术 GaAs、类型 Integrated Edge QAM Amplifier、增益 28.5 dB。Analog Devices · 封装:LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 0.01~1.1 GHz、测试频率 0.7~1.1 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifier,采用 LFCSP-32 封装。Microchip Technology · 封装:LFLGA EP
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作频率 5805 MHz、类型 Power Amplifier,采用 LFLGA EP 封装。MACOM
RF Amplifier 400-500MHz NF .9dB Gain 21dBMACOM
RF Amplifier 2-1500MHz NF 3.4dB Gain 13.5dBMACOM
RF Amplifier 10-300MHz NF 3.0dB Gain 16.0dBMACOM
RF Amplifier 10-700MHz NF 6.0dB Gain 10.5dBMACOM
RF Amplifier 5-1000MHz NF 2.5dB Gain 16dBMACOM
RF Amplifier 2100-2500MHz Gain 30dB Typ.Skyworks Solutions, Inc.
RF Amplifier 5GHZ, 19DBM MATCHED PA IN 3X3X0.6MM QFN型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。