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型号列表

20,447 条型号记录
每页 20 条

HMC462LP5ETR

Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2~20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 14 dBm,采用 QFN-32 封装。

HMC760LC4BTR

Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-EP-24

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2 V、工作频率 DC to 5 GHz、技术 SiGe、类型 Wideband Amplifier、工作电源电流 25 mA, 39 mA, 62 mA, 72 mA,采用 QFN-EP-24 封装。

SKY66001-11

Skyworks Solutions, Inc. · 封装:MCM-10

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3~4.6 V、工作频率 2100~2200 MHz、测试频率 2140 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 Linear Power Amplifier,采用 MCM-10 封装。

HMC263LP4ETR

Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-24

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 24~36 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 6 dBm,采用 QFN-24 封装。

MMRF2006NT1

NXP / Freescale

主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、型号别名 935322156528、单件重量 0.014095 oz。

A2I35H060NR1

NXP / Freescale

主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935322497528、单件重量 0.055740 oz。

HMC752LC4TR

Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-EP-24

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 24~28 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 13 dBm,采用 QFN-EP-24 封装。

QPL9057SR

Qorvo · 封装:DFN-8

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.6~4.2 GHz、测试频率 3500 MHz、类型 Flat Gain Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 17 dBm,采用 DFN-8 封装。

A2I20H080NR1

NXP / Freescale · 封装:TO-270WBG-15

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 30 V、工作频率 1.8~2.2 GHz、测试频率 1.88 GHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 48.5 dBm,采用 TO-270WBG-15 封装。

HMC998APM5ETR-R5

Analog Devices / Hittite · 封装:Die

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10~15 V、工作频率 0.1~22 GHz、测试频率 18~22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier,采用 Die 封装。

HMC517LC4TR-R5

Analog Devices · 封装:Details

主要参数包括通道数 1 个通道,采用 Details 封装。

F1240NBGI8

IDT · 封装:VFQFPN-32

主要参数包括商品名称 FlatNoise、型号别名 IDTF1240,采用 VFQFPN-32 封装。

MD7IC1812NR1

NXP / Freescale

主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935311017528、单件重量 0.058255 oz。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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