MAX2067ETL+T
Maxim Integrated
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作电源电流 72 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、带宽 1000 MHz、型号别名 MAX2067。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Maxim Integrated
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作电源电流 72 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、带宽 1000 MHz、型号别名 MAX2067。NXP / Freescale · 封装:TO-270
主要参数包括工作电源电压 28 V、带宽 2110~2170 MHz、湿敏性 是、型号别名 935314393528、单件重量 0.056833 oz,采用 TO-270 封装。Qorvo · 封装:QFN-40
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5.5 V、工作频率 17.7~19.7 GHz、测试频率 17.7~19.7 GHz、技术 GaAs、类型 High Linearity Power Amplifier,采用 QFN-40 封装。Microchip Technology / Atmel
RF Amplifier COM.RADIO-Low-noise antenna amplifierQorvo · 封装:SOT-86-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 50 MHz to 4 GHz、测试频率 2.4 GHz、技术 SiGe、类型 MMIC Amplifier,采用 SOT-86-6 封装。Qorvo · 封装:SOT-363-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 50 MHz to 4 GHz、测试频率 2.4 GHz、技术 SiGe、类型 HBT MMIC Amplifier,采用 SOT-363-6 封装。Analog Devices · 封装:QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 6~9.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 30 dBm,采用 QFN-32 封装。Qorvo · 封装:QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 13.75~18 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise、1 dB 压缩点(P1dB) 18 dBm,采用 QFN-16 封装。NXP / Freescale
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 32 V、电源电压(最小值) 26 V、工作频率 2.7 GHz、类型 Power Amplifier、增益 25 dB。NXP / Freescale · 封装:TO-270WBG-15
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 1.8~2.2 GHz、测试频率 1.8425 GHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 48 dBm,采用 TO-270WBG-15 封装。NXP / Freescale
主要参数包括型号别名 935313179528、单件重量 0 oz。NXP / Freescale
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 32 V、电源电压(最小值) 24 V、类型 Power Amplifier、增益 30 dB、工作电源电流 420 mA。NXP / Freescale
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935318416528、单件重量 0.058073 oz。IDT · 封装:TQFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400~3000 MHz、测试频率 2000 MHz、技术 硅、类型 RF VGA,采用 TQFN-32 封装。NXP Semiconductors · 封装:TO-270WBG-17
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 3200~4000 MHz、测试频率 3800 MHz、类型 Wideband、增益 28.5 dB,采用 TO-270WBG-17 封装。Qorvo
RF Amplifier 320W Peak Pwr Limter 1 - 2 GHzMACOM
RF Amplifier 17.65-19.75GHz OIP3 43dBm Gain 25dBNXP / Freescale · 封装:TO-270WB-15
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 728~960 MHz、测试频率 920 MHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 46.7 dBm,采用 TO-270WB-15 封装。Qorvo · 封装:SMD-9
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45 MHz to 1.218 GHz、技术 GaAs GaN、类型 Power Doubler Amplifier、增益 25.5 dB,采用 SMD-9 封装。Analog Devices / Hittite · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 2~20 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 26 dBm,采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。