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型号列表

20,447 条型号记录
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MAX2067ETL+T

Maxim Integrated

主要参数包括工作电源电压 5 V、工作电源电流 72 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、带宽 1000 MHz、型号别名 MAX2067。

MD7IC2250GNR1

NXP / Freescale · 封装:TO-270

主要参数包括工作电源电压 28 V、带宽 2110~2170 MHz、湿敏性 是、型号别名 935314393528、单件重量 0.056833 oz,采用 TO-270 封装。

RFPA1702TR7

Qorvo · 封装:QFN-40

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5.5 V、工作频率 17.7~19.7 GHz、测试频率 17.7~19.7 GHz、技术 GaAs、类型 High Linearity Power Amplifier,采用 QFN-40 封装。

ATR4251C-TKQY

Microchip Technology / Atmel

RF Amplifier COM.RADIO-Low-noise antenna amplifier

QPA4263CSR

Qorvo · 封装:SOT-86-6

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 50 MHz to 4 GHz、测试频率 2.4 GHz、技术 SiGe、类型 MMIC Amplifier,采用 SOT-86-6 封装。

QPA2463CSR

Qorvo · 封装:SOT-363-6

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 50 MHz to 4 GHz、测试频率 2.4 GHz、技术 SiGe、类型 HBT MMIC Amplifier,采用 SOT-363-6 封装。

HMC590LP5ETR

Analog Devices · 封装:QFN-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 6~9.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 30 dBm,采用 QFN-32 封装。

QPA2735TR7

Qorvo · 封装:QFN-16

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 13.75~18 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise、1 dB 压缩点(P1dB) 18 dBm,采用 QFN-16 封装。

MD7IC2755NR1

NXP / Freescale

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 32 V、电源电压(最小值) 26 V、工作频率 2.7 GHz、类型 Power Amplifier、增益 25 dB。

A2I20H060GNR1

NXP / Freescale · 封装:TO-270WBG-15

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 1.8~2.2 GHz、测试频率 1.8425 GHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 48 dBm,采用 TO-270WBG-15 封装。

A2G22S251-01SR3

NXP / Freescale

主要参数包括型号别名 935313179528、单件重量 0 oz。

MW7IC2240NR1

NXP / Freescale

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 32 V、电源电压(最小值) 24 V、类型 Power Amplifier、增益 30 dB、工作电源电流 420 mA。

A2I25D012NR1

NXP / Freescale

主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935318416528、单件重量 0.058073 oz。

F2480NBGI8

IDT · 封装:TQFN-32

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400~3000 MHz、测试频率 2000 MHz、技术 硅、类型 RF VGA,采用 TQFN-32 封装。

A3I35D025WGNR1

NXP Semiconductors · 封装:TO-270WBG-17

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 3200~4000 MHz、测试频率 3800 MHz、类型 Wideband、增益 28.5 dB,采用 TO-270WBG-17 封装。

A2I08H040NR1

NXP / Freescale · 封装:TO-270WB-15

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 728~960 MHz、测试频率 920 MHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 46.7 dBm,采用 TO-270WB-15 封装。

RFCM3328SR

Qorvo · 封装:SMD-9

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45 MHz to 1.218 GHz、技术 GaAs GaN、类型 Power Doubler Amplifier、增益 25.5 dB,采用 SMD-9 封装。

HMC464-SX

Analog Devices / Hittite · 封装:Die

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 2~20 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 26 dBm,采用 Die 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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