HMC-ALH476
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 14～27 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 14 dBm，采用 Die 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录RFDA3016SR
Qorvo · 封装：MCM-28
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3000～3800 MHz、测试频率 3500 MHz、类型 Digital Controlled Variable Gain、1 dB 压缩点（P1dB） 30.4 dBm，采用 MCM-28 封装。NBB-402-SR
Qorvo · 封装：MPGA
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.8 V、工作频率 DC to 8 GHz、测试频率 2 GHz、技术 GaAs、类型 Cascadable Broadband Amplifier，采用 MPGA 封装。NBB-312-SR
Qorvo · 封装：MPGA
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.6 V、工作频率 DC to 12 GHz、测试频率 6 GHz、技术 GaAs、类型 Cascadable Broadband Amplifier，采用 MPGA 封装。TGA4534-SM
Qorvo · 封装：QFN-28
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 17.7～19.7 GHz、技术 硅、类型 K-Band Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 33 dBm，采用 QFN-28 封装。HMC441LH5TR
Analog Devices / Hittite · 封装：LH5-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 7～15.5 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 19 dBm，采用 LH5-12 封装。HMC608LC4TR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 9.5～11.5 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 27 dBm，采用 QFN-EP-24 封装。ADA4304-2ACPZ-RL
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.75～5.25 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 54～865 MHz、类型 RF Splitters，采用 LFCSP-16 封装。ADA4303-2ACPZ-RL
Analog Devices · 封装：LFCSP-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 54～865 MHz、类型 RF Splitters，采用 LFCSP-12 封装。HMC406MS8GETR
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5～6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 27 dBm，采用 MSOP-8 封装。THS9000DRWR
Texas Instruments · 封装：VSON-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～5.5 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 50～400 MHz、测试频率 350 MHz，采用 VSON-6 封装。RFCM3326SR
Qorvo · 封装：SMD-9
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45～1218 MHz、测试频率 1218 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Power Doubler Amplifier，采用 SMD-9 封装。ADA4304-3ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.75～5.25 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 54～865 MHz、类型 RF Splitters，采用 LFCSP-16 封装。HMC-APH403
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 37～45 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 23 dBm，采用 Die 封装。HMC1061LC5TR-R5
Analog Devices
RF Amplifier TH404 18GHz Dual Rank T/H ampHMC463LP5ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise AGC Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 19 dBm，采用 QFN-32 封装。MD7IC2755GNR1
NXP / Freescale
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 32 V、电源电压（最小值） 26 V、工作频率 2.7 GHz、类型 Power Amplifier、增益 25 dB。MAX12005ETM+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX12005。MAX2090ETP+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX209。HMC445LP4ETR
Analog Devices
RF Amplifier x16 Active mult , 9.9 to 11.2 GHz Fout型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。