HMC326MS8GETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3～4.5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Driver Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 23.5 dBm，采用 QFN-32 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC637A
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 DC to 6 GHz、测试频率 DC to 6 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 Die 封装。RFPA5200SR
Qorvo · 封装：DFN-10
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2412～2484 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 3-Stage Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 33 dBm，采用 DFN-10 封装。HMC998A
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10～15 V、工作频率 0.1～22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 Die 封装。MAX2065ETL+T
Maxim Integrated
主要参数包括工作电源电压 3 V to 3.6 V, 4.75 V to 5.25 V、工作电源电流 73 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、带宽 50～1000 MHz、型号别名 MAX2065。HMC7357LP5GETR
Analog Devices · 封装：Up-Down Converters
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 Up-Down Converters 封装。HMC444LP4ETR
Analog Devices
RF Amplifier Active x8 mult SMT, 9.9 - 11.2 GHz FoutHMC562
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 2～35 GHz、技术 GaAs、类型 Wideband Driver Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm，采用 Die 封装。HMC-APH518
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 21～24 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 30.5 dBm，采用 Die 封装。HMC789ST89ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.7～2.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT Gain Block、1 dB 压缩点（P1dB） 23.5 dBm，采用 SOT-89-3 封装。HMC372LP3ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 700 MHz to 1 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm，采用 QFN-16 封装。HMC609LC4TR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 2～4 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21.5 dBm，采用 QFN-EP-24 封装。HMC-APH460
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 27～31.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 28 dBm，采用 Die 封装。A2I20H060NR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270WB-15
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 1.8～2.2 GHz、测试频率 1.8425 GHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 48 dBm，采用 TO-270WB-15 封装。RFCM3327TR13
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 RFCM3327。F1200NBGI8
IDT · 封装：VFQFPN-28
主要参数包括商品名称 FlatNoise、型号别名 IDTF1200 IDTF1200NBGI8，采用 VFQFPN-28 封装。ADL5723ACPZN-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 1.8 V, 3.3 V、工作频率 10.1～11.7 GHz、测试频率 11.7 GHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifier，采用 LFCSP-8 封装。SC2200A-00A00E
Maxim Integrated · 封装：QFN-80
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 + 1.8 V、工作频率 698 MHz to 2.7 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier Linearizer、增益 10 dB，采用 QFN-80 封装。HMC870LC5TR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 DC to 20 GHz、技术 GaAs、类型 Modulator Driver、1 dB 压缩点（P1dB） 22 dBm，采用 QFN-EP-32 封装。MAX2092ETP+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX2092。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。