QPA9120SR
Qorvo · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1.8～5 GHz、测试频率 4.8 GHz、类型 High Linearity、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm，采用 QFN-16 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC1061LC5TR
Analog Devices
RF Amplifier TH404 18GHz Dual Rank T/H ampTGA2752-SM
Qorvo · 封装：QFN-42
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V, 28 V、工作频率 7.1～8.5 GHz、技术 GaAs GaN、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 30 dBm，采用 QFN-42 封装。HMC487LP5ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、湿敏性 是。RFCM3328TR13
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 RFCM3328。HMC441LM1TR
Analog Devices / Hittite · 封装：LM1-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 7～15.5 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 20 dBm，采用 LM1-8 封装。HMC751LC4TR
Analog Devices · 封装：General Purpose Amplifiers
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 General Purpose Amplifiers 封装。QPA2609SR
Qorvo · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 7～14 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm，采用 QFN-16 封装。LMH6522SQE/NOPB
Texas Instruments · 封装：WQFN-54
主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电压 4.75～5.25 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、测试频率 200 MHz、类型 High Performance Quad DVGA，采用 WQFN-54 封装。AD8432ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、类型 LNA、1 dB 压缩点（P1dB） 7.7 dBm，采用 LFCSP-24 封装。HMC-ABH241
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 66 GHz、频率范围 50～66 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。TRF37B73IDSGR
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括工作频率 1 MHz to 6 GHz、1 dB 压缩点（P1dB） 15 dBm、增益 14.5 dB、噪声系数（NF） 4 dB、输出三阶截点（OIP3） 27 dBm、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。HMC-AUH317
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 81～86 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 17.5 dBm，采用 Die 封装。HMC370LP4ETR
Analog Devices
RF Amplifier x4 Active mult SMT, 14.4 - 16.4 GHz FoutHMC996LP4ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。ADL5721ACPZN-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 1.8 V, 3.3 V、工作频率 5.9～8.5 GHz、测试频率 8.5 GHz、技术 SiGe、类型 Low Noise Amplifier，采用 LFCSP-8 封装。HMC695LP4ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 11.4～13.2 GHz、技术 GaAs InGaP，采用 QFN-24 封装。A2I25H060NR1
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935322312528、单件重量 0.055740 oz。HMC694LP4ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6～17 GHz、技术 GaAs、类型 Analog Variable Gain Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm，采用 QFN-24 封装。HMC452QS16GETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.4～2.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 31 dBm，采用 QSOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。