ADL5725ACPZN-R7
Analog Devices
主要参数包括通道数 2 个通道、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MW5IC970NBR1
NXP / Freescale
主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 132～960 MHz、类型 Power Amplifier、增益 30 dB、认证等级 AEC-Q100、输入回波损耗 10 dB。HMC634LC4TR-R5
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。LMH5401IRMSR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.15～5.25 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 3.15 V、技术 硅、类型 Differential Amplifier。MAX2066ETL+T
Maxim Integrated · 封装：TQFN-40
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作电源电流 70 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、带宽 1000 MHz、型号别名 MAX2066，采用 TQFN-40 封装。HMC519LC4TR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 18～31 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 11 dBm，采用 QFN-EP-24 封装。LX5530LQ-TR
Microchip / Microsemi · 封装：MLPQ-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～5 V、工作频率 4.5～5.9 GHz、测试频率 4.9～5.85 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier，采用 MLPQ-16 封装。MAAP-011246-TR0500
MACOM
主要参数包括湿敏性 是。F0480NBGI8
IDT
主要参数包括商品名称 FlatNoise、型号别名 IDTF0480NBGI8。HMC7950LS6TR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC590
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 6～10 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 30 dBm，采用 QFN-32 封装。HMC577LC4BTR
Analog Devices
RF Amplifier x2 Active mult SMT, 27 - 31 GHz FoutLX5551LQ-TR
Microchip / Microsemi · 封装：MLPQ-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、增益 27 dB，采用 MLPQ-16 封装。MAX2091ETP+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX2091。HMC1121LP6GETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC565LC5TR-R5
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC566LP4ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC-ALH364
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 24～32 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 7 dBm，采用 Die 封装。HMC8121
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 81～86 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 20 dBm，采用 Die 封装。HMC-AUH318
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、电源电压（最大值） 4.5 V、工作频率 76 GHz、频率范围 71～76 GHz、技术 GaAs，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。