NBB-400-SR
Qorvo · 封装：Micro-X-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.9 V、工作频率 DC to 8 GHz、测试频率 2 GHz、技术 GaAs、类型 Cascadable Broadband Amplifier，采用 Micro-X-4 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC1127
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC7149
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 6～18 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 MMIC Power Amplifier、增益 20 dB，采用 Die 封装。HMC575LP4ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 6～9 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-24 封装。HMC-AUH256
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17.5～41 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 20 dBm，采用 Die 封装。MAAM-009320-TR3000
MACOM · 封装：PQFN-24
主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、测试频率 2.14 GHz、类型 General Purpose Amplifier，采用 PQFN-24 封装。HMC480ST89ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 DC to 5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT Gain Block、1 dB 压缩点（P1dB） 20 dBm，采用 SOT-89-4 封装。HMC373LP3ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 700 MHz to 1 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 20 dBm，采用 QFN-16 封装。RF6886SR
Qorvo · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.6 V、工作频率 100～1000 MHz、测试频率 450 MHz, 900 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 Linear Power Amplifier，采用 QFN-24 封装。HMC606LC5TR-R5
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。ADL5726ACPZN-R7
Analog Devices
主要参数包括通道数 2 个通道、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。ADL5724ACPZN-R7
Analog Devices
主要参数包括通道数 2 个通道、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。HMC952ALP5GETR
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC464LP5ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC591LP5ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC408LP3ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5.1～5.9 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 30 dBm，采用 QFN-16 封装。HMC413QS16GETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。RFPA3800SR
Qorvo · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5～7 V、工作频率 150～960 MHz、测试频率 945 MHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 SOIC-8 封装。QPL9096SR
Qorvo · 封装：DFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～5.25 V、工作频率 1.7～2.7 GHz、测试频率 2500 MHz、技术 硅、类型 Low Noise Gain Block Amplifier，采用 DFN-8 封装。A2I25H060GNR1
NXP / Freescale · 封装：TO-270WB-17
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.3～2.69 GHz、测试频率 2.59 GHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 47.2 dBm，采用 TO-270WB-17 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。