HMC-AUH312
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V, 8 V、工作频率 0.5～65 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier、增益 10 dB，采用 Die 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC-ABH209
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 55～65 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 16 dBm，采用 Die 封装。RF2317SR
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 RF2317。RF2373SR
Qorvo
主要参数包括型号别名 RF2373。QPA9426SR
Qorvo · 封装：SMD-14
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5 V、工作频率 2.5～2.7 GHz、测试频率 2.6 GHz、类型 High Linearity Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 35.5 dBm，采用 SMD-14 封装。RFPA5542SR
Qorvo · 封装：QFN-20
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5.18～5.925 GHz、技术 硅、类型 WiFi Integrated Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 33 dBm，采用 QFN-20 封装。HMC1114PM5E
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.7～3.8 GHz、测试频率 3.2～3.8 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier，采用 LFCSP-32 封装。QPB7425SR
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～8 V、工作频率 47～1218 MHz、测试频率 850 MHz、技术 GaAs、类型 pHEMT Single Ended RF Amplifier，采用 SOT-89-3 封装。HMC7543
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 Die 封装。HMC7441
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 27.5～31 GHz、技术 GaAs、类型 3-Stage Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 34 dBm，采用 Die 封装。MMZ25332B4T1
NXP / Freescale
主要参数包括型号别名 935325969147、单件重量 0.001111 oz。HMC1087F10
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2～20 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 11 dB，采用 Die 封装。TRF37A75IDSGT
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括工作电源电压 4.5～5.25 V、工作频率 40～6000 MHz、类型 Gain Block Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm、增益 12 dB、噪声系数（NF） 4 dB，采用 WSON-8 封装。HMC448
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 19～25 GHz、技术 GaAs、类型 HBT MMIC Amplifier、工作电源电流 48 mA，采用 Die 封装。ADA4303-2ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 54～865 MHz、类型 RF Splitters，采用 LFCSP-12 封装。QPA4563ASR
Qorvo · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 DC to 3.5 GHz、测试频率 2.4 GHz、技术 SiGe、类型 HBT MMIC Amplifier，采用 SOT-363-6 封装。HMC409LP4ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 3.3～3.8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 30.5 dBm，采用 QFN-24 封装。HMC356LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 350～550 MHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm，采用 QFN-16 封装。HMC579
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 46 GHz、频率范围 32～46 GHz，采用 Die 封装。HMC907APM5ETR
Analog Devices · 封装：SMT-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8～11 V、工作频率 0.2～22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 SMT-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。