HMC487LP5E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 12 GHz、频率范围 9～12 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-32 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录RFPA0133SR
Qorvo · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.6 V、工作频率 380～960 MHz、测试频率 915 MHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 QFN-16 封装。HMC263
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 24～36 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 5 dBm，采用 Die 封装。SKY65174-21
Skyworks Solutions, Inc.
主要参数包括湿敏性 是。HMC1087
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2～20 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 11 dB，采用 Die 封装。QPA0163LSR
Qorvo · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5 V、工作频率 100 MHz to 1.3 GHz、测试频率 1 GHz、技术 SiGe、类型 HBT MMIC Amplifier，采用 SOT-363-6 封装。HMC591
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 6～10 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 33 dBm，采用 Die 封装。HMC-ALH376
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 35～45 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 6 dBm，采用 Die 封装。HMC-APH596
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 16～33 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 24 dBm，采用 MSOP-8 封装。HMC-ALH311
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.5 V、工作频率 22～26.5 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 12 dBm，采用 Die 封装。HMC8120
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 71～76 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm，采用 Die 封装。QPA0363ASR
Qorvo · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.5 V、工作频率 DC to 5 GHz、测试频率 2.4 GHz、技术 SiGe、类型 HBT MMIC Amplifier，采用 SOT-363-6 封装。HMC490LP5ETR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 12～16 GHz、技术 GaAs、类型 High IP3 Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 25 dBm，采用 QFN-32 封装。ADL5336ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 4.5～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 1000 MHz、测试频率 140 MHz，采用 LFCSP-32 封装。HMC341
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 24～30 GHz、测试频率 26～30 GHz、技术 GaAs、类型 GaAs MMIC Low Noise Amplifier。HMC609
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 2～4 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm，采用 Die 封装。RF5110GSR
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 RF5110G。HMC263LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 24～36 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 6 dBm，采用 QFN-24 封装。QPB7420SR
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～8 V、工作频率 47～1218 MHz、测试频率 850 MHz、技术 GaAs、类型 pHEMT Single Ended RF Amplifier，采用 SOT-89-3 封装。ADL5321ARKZ-R7
Analog Devices · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOT-89-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。