NJG1155UX2-TE1
NJR
主要参数包括商品名称 NJG115。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录NJG1139UA2
NJR · 封装：EPFFP-6-A2
主要参数包括工作电源电压 1.8 V、工作频率 620 MHz、频率范围 470～770 MHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） - 12 dBm，采用 EPFFP-6-A2 封装。BGA715N7E6327XTSA2
Infineon Technologies · 封装：TSNP-7
主要参数包括型号别名 715N7 BGA E6327 SP001071580、单件重量 0.000071 oz，采用 TSNP-7 封装。NJG1107KB2-TE1
NJR · 封装：FLP-6-B2
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作频率 1.5～1.9 GHz、类型 General Purpose Amplifier、增益 17 dB，采用 FLP-6-B2 封装。CG30
MACOM
RF Amplifier 100-2000MHz IL <3dB Max Attn >38dB SMAADL5530ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 10 MHz to 1 GHz、类型 Linear Amplifiers，采用 LFCSP-8 封装。ADL5243ACPZ-R7
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5.25 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、工作频率 4000 MHz、测试频率 2140 MHz，采用 LFCSP-32 封装。HMC561
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 8～21 GHz、技术 GaAs，采用 Die 封装。HMC408LP3E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5.9 GHz、频率范围 5.1～5.9 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 RF Amplifier，采用 QFN-16 封装。RF3827SR
Qorvo
主要参数包括类型 General Purpose Amplifier、湿敏性 是、型号别名 RF3827。HMC661LC4B
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2 V、工作频率 DC to 18 GHz、技术 SiGe、类型 Wideband Amplifier、工作电源电流 26 mA, 40 mA, 73 mA, 82 mA，采用 QFN-EP-24 封装。HMC636ST89E
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 4 GHz、频率范围 0.2～4 GHz、技术 GaAs、类型 Gain Block Amplifier，采用 SOT-89-4 封装。HMC326MS8GE
Analog Devices / Hittite · 封装：MSOP-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 4.5 GHz、频率范围 3～4.5 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Driver Amplifier，采用 MSOP-8 封装。HMC465LP5ETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。MAAM-011109
MACOM · 封装：LGA-9
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 10 MHz to 40 GHz、测试频率 0.1～40 GHz、类型 Wideband Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 13 dBm、增益 13 dB，采用 LGA-9 封装。HMC311ST89E
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 6 GHz、频率范围 DC to 6 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifier，采用 SOT-89-4 封装。CMPA801B025F
Wolfspeed / Cree · 封装：-
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 8.5～11 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 45.8 dBm，采用 - 封装。UPG2318T5N-A
CEL
RF Amplifier 2.4GHz Single Band for W-LANMMA027AA
Microchip / Microsemi
RF Amplifier DC-30GHZ MMIC Low-Noise AmplifierUPG2251T6M-A
CEL · 封装：TSQFN-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSQFN-12 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。