HMC-ALH216-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC405-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 Die 封装。HMC902-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。QPB9328TR13
Qorvo · 封装：SMT-32
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 4.4～5 GHz、测试频率 4700 MHz、类型 LNA、1 dB 压缩点（P1dB） 19 dBm，采用 SMT-32 封装。HMC-ALH435-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。RFPA5200TR7
Qorvo · 封装：4 mm x 4 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2.4～2.5 GHz、测试频率 2412～2484 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 Power Amplifier，采用 4 mm x 4 mm 封装。SA614AHRX
NXP Semiconductors · 封装：HXQFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 455 kHz to 25 MHz、测试频率 455 kHz、类型 FM IF System、增益 62 dB，采用 HXQFN-16 封装。MAAL-011141-DIE
MACOM · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 28 GHz、测试频率 8 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier，采用 Die 封装。MMG3014N-EVKB7
NXP / Freescale
主要参数包括型号别名 935326216598、单件重量 1 lb。HMC590-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC609-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC490-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 12～17 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 35 dBm，采用 Die 封装。OS10040320PW-017
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 40 MHz to 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 32 dB。TGA4532
Qorvo
主要参数包括工作频率 17.5～20 GHz、类型 Power Amplifier、噪声系数（NF） 6 dB、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、型号别名 1076975。QPA1019D
Qorvo · 封装：Chip
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 22 V、工作频率 4.5～7 GHz、测试频率 7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier，采用 Chip 封装。MMG3014N-EVKB3
NXP / Freescale
主要参数包括型号别名 935327963598、单件重量 1 lb。HMC498-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。AFIC901N-760MHZ
NXP / Freescale
主要参数包括型号别名 935345448598、单件重量 0.017637 oz。MMA041AA
Microchip / Microsemi · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 DC to 26 GHz、测试频率 12～20 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC，采用 Die 封装。OS10040320PW-013
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 40 MHz to 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 32 dB。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。