TGA2575-TS
Qorvo
主要参数包括型号别名 1082517。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录SMA18-1
MACOM
RF Amplifier 10-1000MHz NF 3.8dB Gain 14.7dBCA82
MACOM
RF Amplifier 20-250MHz NF 2.8dB Pout 20dBm SMA Conn.TGA2533-XCC-500-SM
Qorvo · 封装：QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 12.5～15.5 GHz、测试频率 14.4～15.4 GHz、类型 Ku-Band Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 33 dBm，采用 QFN-24 封装。BGA7210X
NXP Semiconductors · 封装：HVQFN-32
主要参数包括工作频率 700 MHz to 3.8 GHz、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm、增益 30 dB、噪声系数（NF） 6.5 dB、输出三阶截点（OIP3） 39 dBm、型号别名 935294197115，采用 HVQFN-32 封装。HMC8205BCHIPS
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 50 V、工作频率 400 MHz to 6 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 24 dB, 25 dB, 26.5 dB，采用 Die 封装。TGA2533
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 6 V、电源电压（最大值） 8 V、工作频率 12.7～15.4 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 34 dBm。SMA28
MACOM
RF Amplifier 10-1500MHz NF 6.0dB Gain 11dBSMA78
MACOM
RF Amplifier 5-300MHz NF 3.5dB Gain 14.0dBTGA2307
Qorvo · 封装：4.28 mm x 4.26 mm x 0.1 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 5～6 GHz、测试频率 6 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier，采用 4.28 mm x 4.26 mm x 0.1 mm 封装。TGA2505
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 7 V、电源电压（最大值） 8 V、工作频率 13～17 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 34 dBm。HMC-AUH318-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、电源电压（最大值） 4.5 V、工作频率 71～76 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier，采用 Die 封装。HMC-ABH241-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 50～66 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 17 dBm，采用 Die 封装。AFIC901N-135MHZ
NXP / Freescale
主要参数包括型号别名 935345446598、单件重量 0.017637 oz。HMC606-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC-APH460-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC694-SX
Analog Devices
RF Amplifier VGA 7-20 GHzHMC-ALH102-SX
Analog Devices · 封装：RF Amplifier
主要参数包括通道数 1 个通道，采用 RF Amplifier 封装。HMC519-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC634-SX
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。