A29-1
MACOM
RF Amplifier 10-1500MHz NF 5.5dB Gain 9.0dB按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
MACOM
RF Amplifier 10-1500MHz NF 5.5dB Gain 9.0dBMACOM
RF Amplifier 10-1500MHz NF 7.5dB Gain 8.5dBMACOM
RF Amplifier 5-500MHz NF 4.5dB Gain 16.5dBAnalog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道。NXP / Freescale
主要参数包括型号别名 935313109528、单件重量 0.021097 oz。MACOM · 封装:TO-8-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 15 V、工作频率 500 MHz、频率范围 10~500 MHz、类型 Cascadable Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 3 dBm,采用 TO-8-4 封装。MACOM
RF Amplifier 5-500MHz NF 2.1dB Gain 21.0dBMACOM
RF Amplifier 200-2000MHz NF 4.0dB Gain 10dB typ. GaAsMACOM
RF Amplifier 10-2600MHz NF 7.0dB Gain 15.0dBMicrochip / Microsemi · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 DC to 14 GHz、技术 GaAs、类型 Wideband Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 19 dBm,采用 Die 封装。MACOM
RF Amplifier 10-2000MHz NF 5.5dB Gain 16.5dBAnalog Devices · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 21~32 GHz、测试频率 28~32 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier,采用 Die 封装。MACOM
RF Amplifier 20-250MHz NF 2.6dB Gain 26.0dBMACOM
RF Amplifier 5-500MHz NF 4.3dB Gain 11.5dBMACOM
RF Amplifier 20-250MHz NF 2.8dB Gain 24.5dBQorvo · 封装:SMT-16
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 2.3~5 GHz、测试频率 3.6 GHz、技术 GaAs、类型 High Gain、1 dB 压缩点(P1dB) 25.5 dBm,采用 SMT-16 封装。IDT · 封装:QFN-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 1.7~2.2 GHz、测试频率 2.2 GHz、类型 High Gain, High Linearity、1 dB 压缩点(P1dB) 23 dBm,采用 QFN-24 封装。MACOM · 封装:PDFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.05~4 GHz、测试频率 0.05~3.25 GHz、技术 硅、类型 Broadband Low Noise Amplifier,采用 PDFN-8 封装。MACOM
RF Amplifier 5-500MHz NF 3.0dB Gain 30.0dBMACOM
RF Amplifier 10-250MHz NF 3.8dB Gain 16.5dB型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。