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型号列表

20,447 条型号记录
每页 20 条

HMC788ACPSZ-EP-R7

Analog Devices / Hittite · 封装:LFCSP-6

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5~5.5 V、工作频率 0.01~10 GHz、测试频率 6~10 GHz、技术 GaAs、类型 RF Gain Block,采用 LFCSP-6 封装。

QPA2576N

Qorvo · 封装:11.4 mm x 17.3 mm x 3 mm

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 30 V、工作频率 2.5~6 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifier、增益 29 dB,采用 11.4 mm x 17.3 mm x 3 mm 封装。

QPA1011D

Qorvo · 封装:4.5 mm x 5 mm x 1.72 mm

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 7.9~11 GHz、测试频率 11 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier,采用 4.5 mm x 5 mm x 1.72 mm 封装。

A2I09VD030NR1

NXP / Freescale · 封装:TO-270WB-15

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 48 V、工作频率 575~960 MHz、测试频率 960 MHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated、1 dB 压缩点(P1dB) 45.2 dBm,采用 TO-270WB-15 封装。

BGU7061,518

NXP Semiconductors

主要参数包括型号别名 935296759518、单件重量 0.006292 oz。

CGA6618ZSR

Qorvo · 封装:ESOP-8

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 5~1000 MHz、测试频率 1000 MHz、技术 GaAs、类型 High Linearity,采用 ESOP-8 封装。

TGA4548-SM

Qorvo · 封装:Die

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 17~20 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 27 dB,采用 Die 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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