A411
MACOM
RF Amplifier 10-400MHz NF 3.0dB Gain 15.8dB按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
MACOM
RF Amplifier 10-400MHz NF 3.0dB Gain 15.8dBMACOM
RF Amplifier 100-2000MHz NF 3.5dB Gain 11.5dBMACOM
RF Amplifier 5-500MHz NF 3.5dB Gain 18.0dBMACOM
RF Amplifier 10-2000MHz NF 5dB Pout 9dBm SMA Conn.MACOM
RF Amplifier 10-500MHz NF 5.5dB Gain 20.0dBMACOM
RF Amplifier 5-500MHz NF 4.5dB Gain 27.5dBAnalog Devices / Hittite · 封装:LFCSP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5~5.5 V、工作频率 0.01~10 GHz、测试频率 6~10 GHz、技术 GaAs、类型 RF Gain Block,采用 LFCSP-6 封装。Qorvo · 封装:11.4 mm x 17.3 mm x 3 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 30 V、工作频率 2.5~6 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifier、增益 29 dB,采用 11.4 mm x 17.3 mm x 3 mm 封装。Qorvo · 封装:4.5 mm x 5 mm x 1.72 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 7.9~11 GHz、测试频率 11 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier,采用 4.5 mm x 5 mm x 1.72 mm 封装。MACOM
RF Amplifier 1-4GHz NF 4.5dB Pout 19.5dBm SMANXP / Freescale · 封装:TO-270WB-15
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 48 V、工作频率 575~960 MHz、测试频率 960 MHz、类型 RF LDMOS Wideband Integrated、1 dB 压缩点(P1dB) 45.2 dBm,采用 TO-270WB-15 封装。MACOM
RF Amplifier 10-500MHz NF 3.4dB Gain 17.0dBMACOM
RF Amplifier 27.5-33.4GHz Gain 21dB P1dB 20dBmNXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935296759518、单件重量 0.006292 oz。Qorvo · 封装:ESOP-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 5~1000 MHz、测试频率 1000 MHz、技术 GaAs、类型 High Linearity,采用 ESOP-8 封装。MACOM
RF Amplifier 10-250MHz NF 1.7dB Pout 10dBm SMA Conn.MACOM
RF Amplifier 2.0-6.0GHZ NF 1.5dB Gain 14.8dBQorvo · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 17~20 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 27 dB,采用 Die 封装。MACOM
RF Amplifier 10-1000MHz NF 2.7dB Gain 28.5dBMACOM
RF Amplifier 5-500MHz NF 4.0dB Gain 11.5dB型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。