HMC8415LP6GE
Analog Devices · 封装：LFSCP-40
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 9～10.5 GHz、测试频率 10～10.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier，采用 LFSCP-40 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录TQM7M5013
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1077563。TGA4036
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 7 V、工作频率 19～38 GHz、测试频率 19～38 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 Die 封装。TGA2307-SM
Qorvo · 封装：QFN-40
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 5～6 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、增益 20 dB，采用 QFN-40 封装。TGA2525
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 2～18 GHz、测试频率 3～14 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm。TGA2509
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括工作电源电压 12 V、工作频率 2～22 GHz、测试频率 2～22 GHz、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 28.5 dBm、增益 17 dB，采用 Die 封装。SST12LP17E-QU8E
Microchip Technology · 封装：SON-8
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 2.4～2.5 GHz、测试频率 2.4 GHz、类型 Power Amplifier，采用 SON-8 封装。GRF5040
Guerrilla RF · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.5～10 V、工作频率 10 MHz to 3.8 GHz、测试频率 2.5 GHz、技术 GaAs、类型 High Power LNA，采用 QFN-16 封装。HMC1049LP5E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7 V、工作频率 0.3～20 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 14.5 dBm，采用 QFN-32 封装。TQP3M9039
Qorvo · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 700～1000 MHz、测试频率 830 MHz、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21.5 dBm、增益 18.1 dB，采用 QFN-16 封装。MAX3518ETP+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX3518。MAX2371ETC+T
Maxim Integrated
主要参数包括工作频率 100 MHz to 1 GHz、类型 LNA with Step Attenuator and VGA、增益 15 dB、噪声系数（NF） 1.8 dB、开发套件 MAX2371EVKIT#、型号别名 MAX2371。MAX4473EUA+T
Maxim Integrated · 封装：USOP-8
主要参数包括类型 PA Power Control Amplifier for GSM Applications、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、型号别名 MAX4473，采用 USOP-8 封装。MAX2685EEE+T
Maxim Integrated · 封装：QSOP-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 1 GHz、测试频率 880 MHz，采用 QSOP-16 封装。A74
MACOM
RF Amplifier 5-500MHz NF 3.0dB Gain 30.0dBRFCA8830TR13
Qorvo
主要参数包括型号别名 RFCA8830。MAX2233EEE+T
Maxim Integrated
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作频率 928 MHz、类型 Power Amplifier。SE5017L-R
Skyworks Solutions, Inc.
RF Amplifier 5.15-5.85GHz Gain 32dB P1dB 34dBmTRF37C73IDSGR
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括工作频率 1 MHz to 6 GHz、类型 Gain Block Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 16.5 dBm、增益 17 dB、噪声系数（NF） 3.5 dB、输出三阶截点（OIP3） 28.5 dBm，采用 WSON-8 封装。TAT7467E1F
Qorvo · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 50～1218 MHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 25 dBm，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。