HMC-ALH244
Analog Devices · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 40 GHz、频率范围 24~40 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier,采用 Die 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 40 GHz、频率范围 24~40 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier,采用 Die 封装。Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 25.5 GHz、频率范围 17.5~25.5 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-EP-24
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5.5~17 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 23 dBm,采用 QFN-EP-24 封装。Qorvo · 封装:2.75 mm x 1.4 mm x 0.1 mm
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 7~10.5 GHz、技术 GaN SiC、类型 GaN Power Amplifier、增益 31 dB,采用 2.75 mm x 1.4 mm x 0.1 mm 封装。Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 7H1BN6 BGA E6327 SP001402778。Analog Devices / Hittite · 封装:Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 5~17 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 23 dBm,采用 Die 封装。Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 10 GHz、频率范围 DC to 10 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifier。MACOM
RF Amplifier 5-500MHz NF 3.5dB Gain 32.0dBMACOM
RF Amplifier 5-400MHz NF 4.3dB Gain 14.5dBNXP / Freescale
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 935323756528、单件重量 0.021097 oz。MACOM
RF Amplifier 1-4GHz NF 4.5dB Gain 17.5dBMACOM
RF Amplifier 10-1000MHz NF 2.8dB Gain 16dBMACOM
RF Amplifier 10-250MHz NF 3.8dB Gain 16.5dBMACOM
RF Amplifier 5-500MHz NF 3.3dB Gain 15.0dBMACOM
RF Amplifier 10-2000MHz NF 5.0dB Gain 10.0dBMACOM
RF Amplifier 10-1000MHz NF 3.8dB Gain 14.7dBMACOM
RF Amplifier 10-1200MHz NF 3.8dB Gain 23.5dBMACOM
RF Amplifier 100-3200MHz NF 7.0dB Gain 11.5dBMACOM
RF Amplifier 20-250MHz NF 2.6dB Gain 26.0dBMACOM
RF Amplifier型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。