HMC405
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 DC to 10 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT Gain Block、1 dB 压缩点（P1dB） 15 dBm，采用 Die 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC396
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 8 GHz、频率范围 DC to 8 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Gain Block Amplifier。HMC453ST89E
Analog Devices / Hittite · 封装：SOT-89-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2.2 GHz、频率范围 0.4～2.2 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 RF Amplifier，采用 SOT-89-4 封装。HMC383
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 30 GHz、频率范围 12～30 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 Die 封装。HMC-ALH140
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 40 GHz、频率范围 24～40 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 Die 封装。HMC407MS8GE
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 7 GHz、频率范围 5～7 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 RF Amplifier。HMC717ALP3E
Analog Devices · 封装：QFN-16
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～5 V、工作频率 4.8～6 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm，采用 QFN-16 封装。GRF4002
Guerrilla RF · 封装：DFN-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.8～5.5 V、工作频率 100 MHz to 3.8 GHz、测试频率 2.5 GHz、技术 GaAs、类型 Broadband LNA/Linear Driver，采用 DFN-6 封装。QPL9503SR
Qorvo · 封装：DFN-8
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 600 MHz to 6 GHz、测试频率 5.5 GHz、类型 Flat Gain LNA、1 dB 压缩点（P1dB） 19 dBm，采用 DFN-8 封装。QPA2210D
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 27～31 GHz、测试频率 31 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Ka-Band，采用 Die 封装。QPA1017D
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 5.7～7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 28 dB，采用 Die 封装。MAAL-011151-TR0100
MACOM · 封装：PQFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 2～18 GHz、测试频率 10 GHz、技术 硅、类型 Low Noise，采用 PQFN-32 封装。A3I35D012WNR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WB-17
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 3200～4000 MHz、测试频率 3600 MHz、类型 Wideband、增益 28.9 dB，采用 TO-270WB-17 封装。A2I09VD015NR1
NXP Semiconductors · 封装：TO-270WB-15
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 48 V、工作频率 575～960 MHz、测试频率 920～960 MHz、类型 RF LDMOS Wideband、增益 32.8 dB，采用 TO-270WB-15 封装。QPA9121TR7
Qorvo · 封装：SMT-16
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 2.3～5 GHz、测试频率 3.6 GHz、技术 GaAs、类型 High Gain、1 dB 压缩点（P1dB） 25.5 dBm，采用 SMT-16 封装。ADMV7710CHIPS
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 71～76 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 28 dBm，采用 Die 封装。MAAM-011286-DIE
MACOM · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～8 V、工作频率 30 kHz to 44 GHz、测试频率 44 GHz、类型 Wideband、1 dB 压缩点（P1dB） 22 dBm，采用 Die 封装。QPA2213D
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 18 V、工作频率 2～20 GHz、测试频率 20 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Wide Band，采用 Die 封装。HMC-AUH249
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 DC to 35 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm，采用 Die 封装。TGA4046
Qorvo · 封装：3.45 mm x 4.39 mm
主要参数包括工作电源电压 6.5 V、工作频率 41～46 GHz、类型 High Power Amplifier、工作电源电流 3 A、型号别名 1027324，采用 3.45 mm x 4.39 mm 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。