SBF4089Z
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.9 V、工作频率 DC to 500 MHz、测试频率 500 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 HBT MMIC Amplifier，采用 SOT-89-3 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录BGA 715N7 E6327
Infineon Technologies · 封装：TSNP-7
主要参数包括型号别名 BGA715N7E6327XTSA2 SP001071580、单件重量 0.000134 oz，采用 TSNP-7 封装。QB-152
API Technologies - Spectrum Control
RF Amplifier API TechnologiesHMC797A-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 DC to 22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 Die 封装。QPA8801TR13
Qorvo · 封装：QFN-40
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 12 V、工作频率 50～1218 MHz、技术 GaAs、类型 MMIC、增益 11 dB，采用 QFN-40 封装。TGA4538
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 6.5 V、工作频率 37～40 GHz、测试频率 37～40 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier。HMC-ABH264
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 34～42 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm，采用 Die 封装。HMC8401-SX
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 7.5 V、工作频率 DC to 28 GHz、测试频率 26～28 GHz、技术 GaAs、类型 LNA，采用 Die 封装。HMC1061LC5
Analog Devices / Hittite · 封装：LC5-32
主要参数包括工作电源电压 2 V、工作频率 DC to 18 GHz、技术 SiGe、类型 Ultra-Wideband Amplifier、工作电源电流 47 mA, 64 mA, 74 mA, 140 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 LC5-32 封装。HMC-ALH482
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4 V、工作频率 22 GHz、频率范围 2～22 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 Die 封装。TGA2624-CP
Qorvo
主要参数包括型号别名 1116370。D10040300GTH
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 40 MHz to 1 GHz、测试频率 1 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifier、增益 30 dB。RFPD3540
Qorvo · 封装：SOT-115J-9
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45 MHz to 1.218 GHz、技术 GaAs GaN、类型 Hybrid Power Doubler、增益 28 dB，采用 SOT-115J-9 封装。QPA2609D
Qorvo · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 7～14 GHz、技术 硅、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 18 dBm，采用 Die 封装。HMC441LH5
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-12
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 7～15.5 GHz、技术 GaAs、类型 Medium Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 19 dBm，采用 QFN-12 封装。QPA1008
Qorvo · 封装：QFN-28
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 6 V、工作频率 3.3 GHz、频率范围 2.7～3.8 GHz、技术 硅、类型 2-Stage Variable Gain Amplifier，采用 QFN-28 封装。QPA2463CTR7
Qorvo
主要参数包括型号别名 QPA2463C。TAT8888
Qorvo · 封装：SOT-115J-9
主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 1000 MHz、频率范围 50～1000 MHz、技术 硅、类型 Hybrid Power Amplifier、增益 24 dB，采用 SOT-115J-9 封装。ADPA7002CHIP
Analog Devices · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20～44 GHz、测试频率 34～44 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC，采用 Die 封装。HMC517
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 17～26 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 11 dBm，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。