HMC463
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 20 GHz、频率范围 2～20 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录HMC659LC5
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 15 GHz、频率范围 DC to 15 GHz、技术 GaAs、类型 RF Amplifier，采用 QFN-32 封装。HMC994A
Analog Devices / Hittite
主要参数包括通道数 1 个通道。HMC994APM5E
Analog Devices / Hittite · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 DC to 28 GHz、测试频率 20～28 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC，采用 LFCSP-32 封装。HMC907APM5E
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10 V、工作频率 0.2～22 GHz、测试频率 18～22 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 LFCSP-32 封装。HMC8410LP2FE
Analog Devices · 封装：LFCSP-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 10 MHz to 10 GHz、测试频率 8～10 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier，采用 LFCSP-6 封装。HMC8410LP2FETR
Analog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 0.01～10 GHz、技术 GaAs、类型 MMIC Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 21 dBm。QPA4363ASR
Qorvo · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.2 V、工作频率 DC to 4 GHz、测试频率 1.95 GHz、技术 SiGe、类型 HBT MMIC Amplifier，采用 SOT-363-6 封装。RF6886TR13
Qorvo · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 3.6 V、工作频率 100 MHz to 1 GHz、测试频率 900 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 Linearity Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 33.5 dBm，采用 QFN-24 封装。HMC465-SX
Analog Devices / Hittite · 封装：Die
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 DC to 20 GHz、技术 GaAs、类型 Driver Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 22 dBm，采用 Die 封装。SMA531
MACOM
RF Amplifier 10-500MHz NF 2.0dB Gain 31.7dBSE2574BL-R
Skyworks Solutions, Inc.
RF Amplifier 2.4GHz 802.11b/g/n -40C +85C SSG 27dBQPB7400SR
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 50 MHz to 1.218 GHz、测试频率 50 MHz to 1.218 GHz、类型 Adjustable Gain RF Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 17 dBm，采用 SOT-89-3 封装。NLB-400-SR
Qorvo · 封装：Micro-X-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.9 V、工作频率 DC to 6 GHz、测试频率 2 GHz、技术 GaAs、类型 Cascadable Broadband Amplifier，采用 Micro-X-4 封装。RFGA2054SR
Qorvo · 封装：SOT-89-3
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 50～3000 MHz、测试频率 2650 MHz、技术 GaAs InGaP、类型 Amplifier Gain Block，采用 SOT-89-3 封装。QPA2363CSR
Qorvo · 封装：SOT-363-6
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 50 MHz to 4 GHz、测试频率 2.4 GHz、技术 SiGe、类型 HBT MMIC Amplifier，采用 SOT-363-6 封装。QPB2318SR
Qorvo · 封装：SOIC-8
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V, 8 V、工作频率 5～210 MHz、技术 硅、类型 Balanced Return Path Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 26.2 dB，采用 SOIC-8 封装。AD8432ACPZ-WP
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、测试频率 10 MHz、类型 LNA，采用 LFCSP-24 封装。NLB-300-SR
Qorvo · 封装：Micro-X-4
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.8 V、工作频率 DC to 10 GHz、测试频率 2 GHz、技术 GaAs、类型 Cascadable Broadband Amplifier，采用 Micro-X-4 封装。TQP3M9036
Qorvo · 封装：DFN-8
主要参数包括工作电源电压 3.3～5.25 V、工作频率 100～2000 MHz、测试频率 900 MHz、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 20 dBm、增益 21.1 dB，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。